TN3622003053780谐振腔增强型光电探测器的角度相关特性研究=IncidentangledependenceofquantumefficiencyofGaAsbasedRCEphotodetectors[刊,中]/梁琨（中科院半导体研究所.北京（100083））,杨晓红…//光子学报.-2003,32（5）.-637-640采用MBE生长In0.3Ga0.7As/GaAs和GaInNAs/GaAs量子阱为有源区的器件结构材料,制备出工作在1060nm及1310nm波段的谐振腔增强型光电探测器。对谐振腔增强型光电探测器的空间角度相关特性进行了实验与物理分析,改变光束入射角度,器件谐振接收波长可在大范
中国光学
2003年5期
