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新型环氧树脂E-51的性能研究

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摘要采用具有负热膨胀特性的ZrW2O8粉体和SiO2粉体分别作为填料制备E-51环氧树脂电子封装材料。测试了不同种类和含量的填料对封装材料的介电常数、介质损耗、阻温特性和电击穿场强等电性能的影响。实验结果表明：随ZrW2O8含量的增加，ZrW2O8／E-51材料的介电常数ε不断增大，介质损耗正切值不断减小。在室温约163℃范围内，ZrW2O8／E-51材料的电阻率稳定在3．03×10^6Ω·m，电击穿场强均大于10kV·m^-1，满足于微电子器件封装材料的实际应用.

DOI 2d31x89749/566319

作者徐伟;徐桂芳;管艾荣

机构地区不详

出处《电子与封装》 2007年12期

关键词电子封装材料环氧树脂 ZRW2O8 电学性能

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2007年12月22日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）