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真空二流体制作35μm/35μm细线路的研究
真空二流体制作35μm/35μm细线路的研究
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摘要
文章尝试了采用真空二流体蚀刻试做35μm/35μm线路的可行性。经过实验证明:采用DES工艺&搭配合适的蚀刻设备,如真空二流体蚀刻机,可以把细线路制作等级提升到35μm/35μm;能获得大于3的蚀刻因子,局部区域的蚀刻因子更是高达14.99-11.82。此外,3μm铜箔可以获得集中度更高的线宽&更高的蚀刻因子。
DOI
pj0z3mz84y/2182051
作者
陈华丽;林辉;钟文光
机构地区
不详
出处
《印制电路信息》
2015年3期
关键词
细线路
真空二流体蚀刻
分类
[电子电信][微电子学与固体电子学]
出版日期
2015年03月13日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
印制电路信息
2015年3期
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