离子缔合型离子敏感半导体传感器的研制——Ⅰ.PVC膜高锰酸根半导体传感器

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摘要 本文报导的高锰酸根半导体传感器(简称MnO4-—ISFET)是以乙基紫—MnO4-缔合物为电活性物质的化学半导体传感器。它是我们在研制钾离子敏感半导体传感器的基础上发展起来的又一化学半导体传感器,是传统的离子选择性电极和场效应晶体管相结合的产物。不仅工艺简单,并且具有半导体传感器的固有特点,如微型化、
机构地区 不详
出版日期 1988年01月11日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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