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超深亚微米（VDSM）Foundry（二）——数模混合电路和射频电路

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摘要本刊特约中芯国际张汝京总裁等为本刊撰写了系列文章,介绍中芯国际目前已具备的工艺手段和所达到的技术水准。其它公司的情况,本刊将陆续发表,以飨读者。1.数模混合电路(MS-MixedSignal)和射频电路(RF-RadioFrequency)中的主动元件和被动元件。数模混合电路和射频电路中的CMOS电路必须与logic电路相兼容。其主动元件或称有源元件(ActiveDevices)主

DOI ojzz7ge0j5/2050994

作者张汝京;杨士宁;刘越

机构地区不详

出处《中国集成电路》 2003年46期

关键词超深亚微米 VDSM 数模混合电路射频电路电容器电阻器

分类 [电子电信][微电子学与固体电子学]

出版日期 2003年12月22日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）