摘要
内在的hydrogenated非结晶的硅(a-Si:H)电影在n类型上被扔由到分析的热电线的化学蒸汽免职(HWCVD)的水晶的硅(c-Si)晶片非结晶/水晶的heterointerface钝化性质。对称的heterostructure的少数搬运人一生被使用请教WCT-120一生测试者系统，和决定从一生测量的接口状态密度被建议的一个简单方法的Sinton测量。接口状态密度测量被使用深水平的短暂光谱学(DLTS)证明简单方法的有效性也执行。微观结构和a-Si的氢结合配置:有不同的氢冲淡的H电影被使用分光镜的ellipsometry(SE)和Fourier变换调查红外线的光谱学(FTIR)分别地。接口状态密度的更低的值被使用a-Si获得:有水晶的硅上的更一致的、紧缩的微观结构和更少体积缺点的H电影由HWCVD扔了。
出版日期
2017年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
