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《中国电子科学研究院学报》
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2012年6期
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纳米时代的高密度存储
纳米时代的高密度存储
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摘要
结合硬盘、固态存储和纳米存储技术的发展状况,回顾了磁存储技术发展历程,着重介绍了各硬盘厂家应对存储密度提升瓶颈而开发的HAMR、BPM、SWR、DTR等新兴磁记录技术,分析了热点固态存储缺陷点和存储密度提升前景,同时对当前存储领域研究热点的纳米管存储原理和前景进行了阐述,最后就存储技术现状及趋势提出了未来几年内存储领域的格局和纳米存储的发展重点,期望能为存储系统及信息系统技术规划提供参考。
DOI
ojzpywez45/1200246
作者
王雄;金亮亮
机构地区
不详
出处
《中国电子科学研究院学报》
2012年6期
关键词
存储
磁记录
纳米管存储
纳米存储
分类
[电子电信][物理电子学]
出版日期
2012年06月16日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
中国电子科学研究院学报
2012年6期
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