Characterization of sputtered ZnO films under different sputter-etching time of substrate

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摘要 多晶的ZnO电影用收音机频率磁控管在是在不同时间的sputteretched的玻璃底层上劈啪作响被准备。两ZnO谷物和root-mean-square(RMS)的尺寸粗糙减少,底层的sputteretching时间增加。更多的Zn原子在这些电影被绑在O原子,并且缺点集中与增加底层的蚀刻噼啪声的时间被减少。同时,crystallinity和c轴取向在底层的更长蚀刻噼啪声的时间被改进。在99cm1,438cm1和589cm1的拉曼山峰作为E2被识别(低),E2(高度)和E1(LO)模式,分别地并且E1(LO)山峰蓝色的位置变在更长蚀刻噼啪声的时间。这些电影的发射度,在底层上被扔并且为10蚀刻min和20min,比在30min的更长蚀刻噼啪声的时间下面扔的电影的在可见区域是更高的。bandgap随底层的蚀刻噼啪声的时间的增加从3.23eV增加到3.27eV。
机构地区 不详
出版日期 2011年06月16日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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