简介：通过Stille偶联反应合成了5，5″-二辛基-2，2’：5’2″-三联[3，2-b]并二噻吩，并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征．以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管，并对薄膜生长基底温度做了优化，发现基底温度为100℃时器件性能最好，迁移率达到0．13cm^2／V·s，开关比为7×10^3，阈值电压为-19V．

简介：制备了金属-铁电层-绝缘层-半导体（Pt/Bi3.15Nd0.85Ti3O12/YSZ/Si,MFIS）二极管,研究了该二极管的存储窗口电压、疲劳特性和高温保持特性。结果表明：该二极管的存储窗口电压随扫描电压的增大呈先增大后减小的趋势,其中最大存储窗口电压约为0.88V且存储窗口电压的变化几乎不受扫描电压的扫描速度与频率的影响;该二极管在109次翻转循环后,其积累电容和耗尽电容基本没有变化,且存储窗口电压仅下降了5%。另外,该二极管在80℃下加速测量8h（相当于常温下测量60d）后,加速后器件的电容差比加速前降低了13%,说明该二极管抗疲劳特性和高温特性良好。

简介：利用卟啉（Heroin）具有模拟酶的功能，与多壁碳纳米管（MWCNTs）构建了一种新型的过氧化氢（H2O2）生物传感器。首先，利用Hemin与MWCNTs之间的π-π键作用，在超声分散下制备Hemin／MwcNTs纳米复合物；采用滴涂技术并在nafion的作用下将其固载在电极表面，制得该H2O2生物传感器（nafion／Hemin／MWCNTs／GCE）。采用紫外-可见分光光度法（uV—Vis）对合成的纳米复合物进行了分析；采用扫描电镜（SEM）对电极的表面形貌进行了表征；采用循环伏安法和计时电流法考察了该修饰电极的电化学行为；并对传感器的行为进行了详细的研究。在最优条件下，此修饰电极对H2O2具有明显的催化作用，电流与H。0：的浓度在6．0×10-7-1．8×10-3mol／L范围内呈现良好的线性关系，检出限达2．0×10-7mol／L。此传感器制作简单，具有较高的灵敏度和良好的稳定性及重现性。

简介：设计并合成了4个基于含硫芳杂稠环化合物的可溶性共轭齐聚物,即以3-十一烷基苯并[d,d′]噻吩并[3,2-b;4,5-b′]并二噻吩（BTTT）为末端芳香单元,噻吩（T）、二噻吩（bT）、N-十二烷基-二噻吩并[3,2-b]吡咯（TP）或2,5-双（3-十二烷基噻吩）[3,2-b]并二噻吩（qT）为中间芳香单元的共轭齐聚物.它们的HOMO能级和能隙分别处于-5.35～-4.95eV和2.62～2.44eV.通过溶液旋涂的方法制备了有序的薄膜,除T-BTTT外,其他3个化合物在薄膜中均表现出edge-on型的层状排列结构.制备了底栅-顶接触型的有机薄膜晶体管器件,qT-BTTT具有最高的场效应迁移率,达到0.012cm2/V.s.