简介：１引言爱因斯坦在１９５２年５月７日给Ｍ·索洛文的信中，就思维与直觉经验（感觉）的联系描绘了一个十分生动、形象的科学思维模式［１］，如图１所示。直接经验（感觉）的各种体现图１图中ε（直接经验）是已知的；Ａ是假设或公理；Ｓ是由Ａ通过逻辑推理导出的各个个别...

简介：在电磁学教学中，通过挖掘教材中的科学素质点。探索教法与学法的正向迁移和重温物理学家科学发现之路，对学生进行物理方法论教育。

简介：随钻电磁波测井是当前一种较为先进的测井方式,论文通过构建均匀介质、层状各向同性介质和层状各向异性介质等3种地层模型,详细推导出了随钻电磁波测井正演数学模型,并给出了相应的数值模拟结果。

简介：【本节需学习的内容】本节教材由“信息”、“信息传播”和“传播信息工具”三部分组成，并介绍电报与电话的发明、自制有线电报机与接收机的活动方案．

简介：针对强爆炸热辐射源的光谱特征，采用热辐射分谱段大气传输模型，解决了已有经验公式无法计算热辐射光谱特征的问题。计算结果表明，受不同能量光子大气传输特性的影响，热辐射光谱特征随距离发生变化：紫外部分较可见光和红外部分衰减更快，可见光和红外部分所占的比例随距离增加而逐渐增大。

简介：在强脉冲裂变中子-伽马混合辐射场中,通常利用反冲质子探测系统对高能中子进行测量,如何提高探测系统的信噪比是设计的关键。采用MCNPX程序,模拟输入watt谱,对系统的结构进行了优化设计,其中包括：靶和PIN探测器的直径、厚度、放置角度,靶腿角度,靶室镍窗厚度以及辐射屏蔽结构等。结果表明,减小PIN探测器厚度以及靶腿角度可显著改善系统的信噪比;减小镍窗厚度以及采用阶梯状喇叭口屏蔽也可有效提高系统信噪比。

简介：本文在评述低温绝对辐射计和SIRCUS发展的基础上，讨论了基于探测器标准的光谱可调谐自校准标准光源的工作原理、发展与应用前景。在探测器型光谱辐射标准研究方面，工作在液氦温度的低温绝对辐射计不确定度达0.01％。美国国家标准与技术研究院（NIST）建立的均匀光源光谱辐照度和光谱辐亮度响应度定标装置（SIRCUS）采用一系列激光器，由低温绝对辐射计传递的硅陷阱探测器定标，不确定度已达到0.1％，成功应用于空间遥感仪器高精度辐射定标。分析认为，发展中的基于探测器标准的光谱可调谐自校准标准光源，定标精度高，自行校正老化、衰减，保证了定标精度长期稳定。

简介：化学反应混凝微滤技术是处理放射性废水的一种新型实用技术，作为分离单元核心的聚偏氟乙烯中空纤维微滤膜是一种性能优异的水处理膜材料，具有化学稳定性好、抗吸附污染性好、高装填密度等优点，但在辐射环境下性能会发生一定程度的改变，从而影响材料的使用性能。文中在一个较宽的辐射剂量范围内研究聚偏氟乙烯中空纤维膜的性能变化，为该膜的工程应用提供依据。

简介：用X射线反射方法研究了分子束外延技术生长的Si中Ge薄层异质结构的Ge原子分布特性．根据X射线反射理论及Parratt数值计算方法对实验反射曲线的模拟，得到不同厚度的Ge薄层异质结构样品中Ge原子的深度分布为非对称指数形式：在靠近样品表面一侧的衰减长度为8埃，而在靠近样品衬底一侧的衰减长度为3埃，且分布形式与Ge原子层的厚度无关。讨论了不同结构参数(Ge原子薄层的深度、Ce原子分布范围、样品表面粗糙度、样品表面氧化层厚度等)对样品低角反射曲线的影响．

简介：对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5．92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验，其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E，加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS／SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS／体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0．02-0．80Gy(Si)／s之间，它符合国家军用标准GJB762．2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时，电路所有表征参数在20min内测量结束。

简介：利用三维电磁场时域有限差分法,研究了n型硅片对0.3～0.4THz高功率脉冲的响应.模拟计算了波导内电场分布、电压驻波比及硅块内平均电场,给出了硅块几何尺寸和电阻率对上述物理量的影响规律.通过调整硅块的长、宽、高及电阻率,最后给出了一种可用于该频段高功率太赫兹脉冲功率测量的探测器物理模型,其灵敏度约为0.509kW-1,幅度波动不超过±14％,电压驻波比不大于1.34.

简介：利用MCNP程序计算了不同燃耗下脉冲堆调节棒的微分价值，并采用周期法实验测量了调节棒的微分价值，对比了在不同燃耗下脉冲堆调节棒的微分价值实验值和理论计算值。结果表明：随着脉冲堆燃耗的加深，调节棒在高度200mm以下微分价值变化不明显，在高度200.390mm时，燃耗越深，微分价值越大，理论值与实验值符合很好。

简介：MOS型功率场效应管具有大的脉冲开关电流(数十安培)、较高的漏源电压(达千伏)、小的导通内阻(欧姆量级)和较快的导通时间(数纳秒)。由于其输入输出电容大，故用其制作的脉冲源抗脉冲电磁干扰能力较强，也因此它的开关速度较慢。采用过驱动能提高MOS型功率场效应管的开关速度。就是使栅极驱动脉冲波形的前沿很快且上冲大大超过额定的栅源驱动电压。为此，在研制过程中，解决了用多个场效应管串、并联组合，形成具有纳秒级陡峭前沿的大电流开关；用多个脉冲变压器并联，对大电流开关输出的信号进行放大和成形；用脉冲变压器的技术解决了大功率脉冲功率合成等关键技术，采用稳定的开关器件等技术和工艺，解决低压电路抗高速高压强电干扰。实现了用固体器件—场效应管，替代国外氢闸流管部分用途的功能。

简介：利用混合单调凝聚算子的耦合不动点定理,给出了二阶混合单调型脉冲微分方程的初值问题的解的存在唯一性及迭代逼近定理.

简介：利用Sadovskii不动点定理研究了一类脉冲中立型泛函微分方程，证明了适度解的存在性．最后，给出了上述问题在偏微分方程方面的一个应用．

简介：基于传输线变压器原理,设计了一种适用于超宽谱脉冲功率合成的结构。该结构采用二级合成方式,在功率合成的同时实现向高特性阻抗超宽带天线匹配馈电。用4路超宽谱脉冲源进行了功率合成实验,每路脉冲电压1.7kV,前沿200ps,4路同步最大延迟20ps,合成脉冲馈入特性阻抗为200Ω的超宽带天线进行辐射。测量结果表明,采用该功率合成结构的天线辐射场强比单路馈电提高1倍,在20kHz重复频率下工作稳定。实验验证了利用传输线变压器原理进行超宽谱电磁脉冲功率合成的可行性和高效性。

简介：本文首先建立了具有变时滞和分布时滞的Lotka-Volterra两种群脉冲合作系统.然后通过应用Gaines和Mawhin叠合度定理,研究得到了具有变时滞和分布时滞的Lotka-Volterra两种群脉冲合作系统正周期解存在性的充分条件.

简介：应用上下解方法和单调迭代技术研究了带有上确界的一阶非线性脉冲微分方程无穷边值问题,并获得了其极值解的存在性结果.

简介：采用脉冲激光全息诊断技术，对1Ma-3Ma超声速横向来流作用下的冲压发动机喷嘴燃料雾化性能及800K、0．55MPa加热来流作用下的涡轮发动机喷嘴雾化性能进行实验研究，获得了雾化粒子的空间分布、尺度分布、数密度分布以及指定区间的Sauter平均直径分布等重要参数，实现了燃油射流雾化特征参数的3维定量测量，同时测量了低速电雾化粒子的速度，获得了射流流向平面内的液滴速度分布。

简介：根据脉冲缩短机理分析结果和本工作提出的抑制措施，S波段RKA的高频系统采用了高阶工作模式，输入腔采用5λ／4的工作模式，采用了以3λ／4为工作模式的中间腔，采用了3λ／4为工作模式的输出腔。采用Superfish程序计算了高频系统内部的电磁场分布，并且采用了Mafia程序对三维结构的输入腔和输出腔内部的电磁场分布及多种模式特性进行了分析。实验中，调试出了有载Q值可调的输入腔，频率范围为2．83-2．93GHz、有载Q值范围为25～110；设计加工了频率可调的中间腔；设计、加工和调试了有载Q值为11的输出腔。