简介:据华盛顿国际半导体设备与材料协会(SEMI)报道,世界范围内新半导体制造设备2018年预期增加10.8%,增加至627亿美元,超过2017年的历史最高566亿美元记录。CIA一次设备市场破纪录的年份预计将在2019年,预期增长7.7%,增长至676亿美元。SEMI年中预报预计晶片工艺设备将在2018年增长11.7%,增长至508亿美元。其他前端环节,包括晶圆厂设备、晶圆制造以及标记伐9分设备2018年预期将增长12.3%,至28亿美元。组装打包设备2018年预期增长8%,至42亿美元,半导体测试设备今年预期增长3.5%,至49亿美元。
简介:11月是溢满着丰收喜悦、充满着对来年无限希冀的季节。今年的11月23日,还是中国仪表材料行业协会成立十周年纪念日。在这令人难忘的时刻,我国仪表材料行业的有关领导、企业家、专家与工程技术人员于2004年11月21~25日欢聚一堂,在重庆举行了“中国仪器仪表行业协会仪表材料分会2004年年会暨第二届机械工业仪表功能材料标准化技术委员会成立大会”。
简介:通过添加适量的添加剂,采用正交试验方法,研究了高氯化铵质量浓度下在Q235钢基体上低温电镀Ni-P合金的工艺参数。实验得出最佳工艺条件为:NiSO4·6H2O40g/L、NaH2PO2·H2O30g/L、H3BO315g/L、NH4Cl32g/L、添加剂T10.12g/L、添加剂T20.03g/L、添加剂T30.1g/L、施镀温度45℃、电流密度0.015A/cm2、pH=4。最佳工艺条件下所获镀层的EDS分析表明,镀层由靠近基体部位到镀层表面部位,P质量分数变化情况为6.61%→7.18%→8.73%。随着离基体距离的增大,镀层显微结构由晶态向微晶转化,最后为完全非晶态。