简介：

简介：根据8．5XAFS束线改进工程的需要，我们设计了一种应用于同步辐射光束线的狭缝，该狭缝不但可限制同步辐射光束的截面尺寸，同时具有光束线位置探测功能。可以方便地测量光束的垂直分布及中心位置：迅速准确地准直狭缝及对光束移动做实时监测。

简介：应用扩展X射线精细结构（EXAFS）技术研究了化学改性MnO2中锰及铋的结构形态。结果表明：掺杂元素铋进入MnO2的晶格，增大MnO2的不同壳层配位无定形。在MnO2-电子放电还原过程中，铋的氧化态保持稳定，MnO2没有发生结构重排。

简介：

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简介：不同退火温度处理后的纳米非晶态NiB和NiP合金催化剂XAFS和XRD的结果表明，在300℃温度退火后，纳米非晶态NiB合金晶化生成纳米晶Ni和晶态Ni3B中间态；纳米非晶态NiP合金直接晶化生成稳定的晶态Ni和Ni3P。在500℃温度退火后，NiB和NiP样品都晶化为金属Ni，但NiB样品中的Ni原子周围的局域结构与金属Ni箔的几乎相同，而NiP样品由于Ni原于受到元素P的影响，生成的晶态Ni的结构有较大的畸变，结构与金属Ni相差很大。

简介：高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ－Al2O3/Si外延生长，单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在我们的实验室生长出γ－Al2O3/Siuj单晶薄膜。它们的结晶关系是（100）γ－Al2O3/／Si，[010]γ－Al2O3//[010]Si。

简介：通过原位担载法将铁系催化剂担载于煤表面，考察了催化剂前驱体的相态、配位环境以及在载体表面的分散状态。采用X射线吸收精细结构和X射线衍射法对原位担载型铁系催化剂前驱体进行了表征。结果表明，催化剂前驱体在煤表面以非晶态、高分散的形式存在，其化学组成主要为FeOOH，且催化剂前驱体的分散程度与载体煤的物理化学性质有关。

简介：用X射线摇摆曲线和掠入射衍射、透射电镜、原子力显微镜等实验技术研究了MBE方法生长的Si缓冲层生长温度对SiGe／Si异质结结构的影响。结果表明，所研究的SiGe外延层晶格发生完全弛豫，但表面粗糙度和界面失配位错随Si缓冲层的生长温度而变化，最佳生长温度为450℃；缓冲层晶格应变是达到高质量SiGe外延层的主要原因。

简介：小角X射线散射（SAXS）是一种有效的、重要的亚微结构分析手段。本文介绍了SAXS的基本原理、实验方法和数据处理方法尤其是对于非理想两相体系的解析方法及其在溶胶－凝胶法制备多孔材料研究中的应用。

简介：本文在分析了北京同步辐射室4B9B原束线低能分支的构造及弊病后，在不影响束线高能分支性能及总体机械结构的基础上提出了改进方案。文中不仅详细介绍了该设计方案，同时也介绍了97年4月份专用光开始前夕的调试工作及出光后束线的性能测试工作，测试结果完全符合设计要求。该束线在这次同步辐射专用光实验中充分发挥了改进后的优势，取得了令人满意的结果。

简介：本论文主要利用同步辐射白光貌相术和单色光貌相术、常规X射线衍衬貌相术。同步辐射Laue衍射、高分辨X射线衍射、光学显微术，对KTP系列晶体中的生长缺陷、畴结构组态和对物理性能的影响，以及KTP晶体在外电场作用下的结构变化作了观察、研究和探讨。

简介：从量子力学的不确定原理出发，推导出光源相干性和光束相干性的关系，并应用所得的结论对同步辐射X光束的空间相干性进行了物理分析，讨论了X光相干光学实验对X光束的一些要求。

简介：研究了FeMn／Co多层膜界面插入Bi前后微结构的变化。利用磁控溅射法制备了FeMn/Co多层膜，利用X射线小角反射和漫散射技术进行了表征，得到结果如下：插入Bi之前，在FeMn/Co界面处确实存在FeMnCo的成分混合存在，插入Bi之后，FeMnCo的成分中掺入了Bi。而且，在FeMn/Co界面处Fe，Mn，和Co的元素分布不相同。

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简介：利用同步辐射X射线衍射和DAC高压技术在室温下测量了钙钛矿CaTiO3在压力0-34．6GPa下的结构变化．结果表明，随着压力的增加，CaTiO3的三个晶体轴都受到不同程度的压缩，没有证据表明有相变的发生．

简介：稀土硼酸盐在真空紫外（VUV）波段的吸收与化合物中硼酸根离子的结构有关，扩展Hueckel计算表明，硼酸根离子中的B－O成键轨道与B－O反键轨道能量差按BO4^5>B2O5^4->BO3^3->B3O9^9-顺序减小，这与VUV激发光谱的实验结果一致，表明VUV激发过程对应于电子从B－O成键轨道向反键轨道的跃迁。

简介：测定了真空蒸镀的WO3薄膜电致变色前后的谱，发现钨原子与周围的氧原子的作用距离随着阳离子（K^+,Li^+）注入电量的增加而增加，说明阳离子的注入对WO3的微结构有影响。

简介：利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体，VGF缺陷缺陷最低，HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平，讨论了位错分布差异的原因。

简介：采用XAFS研究不同制备条件下超细Ni-P非晶态合金中Ni原子配位环境周围的局域结构。结果表明在pH小于11的条件下，样品的非晶化程度随pH的减小而增大；当pH为14时，样品中Ni的区域环境结构与金属Ni的相近。不同退火温度样品的XAFS结果表明，在300℃的温度下退火，超细Ni-P非晶态合金基本晶化生成晶态物相。