简介:本文介绍了Infineon公司专为Inom〉300A中大电流应用设计的最新的650VIGBT4。与600VIGBT3相比,该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度,减小了MOS沟道的宽度,提高了背面的发射效率。相应地,器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。
简介:全球功率半导体和管理方案领导厂商一国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)今天宣布推出车用600VICAUIRS2334S,适合包括高压压缩机(HVAC)和风扇在内的三相变频电机驱动应用。
简介:应用于EV/HFV(电动汽车和混合电动汽车)转换系统的IGBT模块,要求其提高功率密度,以能达到缩小系统体积的目标。为了达到这个目标,我们研发了采用高热导工艺的新型的高功率密度的6-型(6-pack)IGBT模块。采取的创新措施有:采用直接冷却系统以消除热脂的热阻;优化了散热器和液体套管的设计;绝缘衬底不采用通常使用的Al_2O_3(氧化铝),而采用了热导率比Al_2O_3高的Si_3N_4(氮化硅);开发了新型焊接材料。研发的新型IGBT模块能用于EV/HFV转换系统的可能性是非常大的。
简介:单片逆变集成电路已经广泛应用到空调的风机驱动上,它易于受到噪声的干扰。我们为交流220V单片逆变集成电路开发了窄带滤波器来抵抗噪声,它有可以缩短延迟时间的充电和放电加速器,也有滞后电路可以抑制任何阶段产生的噪声。它被置于上/下驱动电路的前级来抑制源于任何输入端子的噪声。本文最后用实验验证了窄带噪声滤波器非常出色的效果。
简介:随着指纹识别技术日渐成熟及指纹采集设备价格的大幅度下降,普及指纹身份验证系统的时机越来越成熟。在目前的指纹自动识别技术的基础上对指纹处理算法做了较大的改进,使算法非常实用可靠。在此技术前提下介绍用MCS-51和MotorolaDSP56311构建主从式指纹自动识别系统的技术要点。
简介:在工控领域,随着自动化、高效化及节能化需求的日益增长,出于对驱动系统的高可靠性与安全性等因素的考虑,变频驱动器的用途正在迅速扩大作为世界一流的传动产品制造商,安川电机在电动力的提供、工业自动化的应用、机电产品的创新乃至机器人等领域,一直为社会提供着时代最先进的技术。
简介:金属和金属化合物多年来一直在塑料生产中扮演重要角色。它们多不是以化学键的形式和聚合物基质结合,而是以包囊的形式存在在其中。所以在长期的使用过程中会慢慢释放到周围环境中。同样的,当处置塑料垃圾的时候,不管是通过焚烧还是掩埋的方式,从塑料中释放出的有毒金属元素都会对大气或土壤造成污染。所以塑料制品对环境负责的做法就需要对塑料生产,回收利用和处理过程的每一个环节都对重金属予以注意和监控。
简介:本文研制了一种600V高压半桥式、用于驱动IGBT栅极的集成电路(IC)。本文将先介绍基于监测IGBT传感电流的短路保护功能,然后介绍电平下移功能。之后,还将讨论另一种我们研制的短路保护功能电路,它通过对集电极和栅极的监测实现对IGBT的短路保护。本文中的IC最多可以驱动带有几个外部部件的600A/600V等级IGBT。本电路不仅适用于工业逆变器,而且适用于混合动力电动汽车。
简介:为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求,研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施,它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说,它受益于新型集成技术,还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑,并示出效率结果,以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较,以表明STripFET^TM的性能优点。此外,还给出许多特殊功能。
简介:本文阐述以小型、低电感的功率模块,获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率,本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC(碳化硅)二极管。作为示范,苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率,功率密度高达8.5kW/l(85W/cm3),高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。
650V IGBT4:可承受10μs短路时间的大电流模块用最优器件
IR推出车用600V IC AUIR923349适合三相变频电机驱动应用
采用高热导率技术实现电动汽车和混合电动汽车用的高功率密度IGBT模块
用窄带声滤波器提高交流220V单片逆变集成电路的抗扰性
用Motorola DSP56311和MCS-51组建的嵌入式指纹自动识别系统
安川电机:用创新迎战未来——专访安川电机(中国)有限公司驱动控制事业部部长 川野清
方便快速的用便携式X-射线管XRF荧光分析仪分析和普查塑料中重金属含量
混合动力电动汽车逆变系统中驱动高达600A—IGBT用的一种600V高压半桥式栅极驱动器集成电路
第三代STripFET^TM实现了通态电阻与栅极电荷之间的最佳折衷——电信和计算机用的DC-DC变换器的新效率标准
用现代MOS场效应管开关与碳化硅二极管构成的小型功率模块可获得高频、紧凑的三相正弦输入整流器