简介:文献[1]提出了一种基于HF返回散射和斜向探测联合探测电离层,融合两种探测结果联合反演电离层参数的新方法,该反演方法基于特定的电离层QP模型和均方误差最小准则,采用全局搜索的方法确定QP模型参数。针对该联合反演方法进行了改进,分析了不同采样方式对于反演结果的影响,通过优化频点选择提高了反演的稳定性和准确性,并引入了粒子群优化算法进行搜索,大大缩短了反演的时间。仿真结果显示,这种改进后的联合反演算法具有更高的效率和实用性。
简介:为了有效地评价图像质量,该文提出一种应用人眼视觉特性的全参考图像质量评价方法。该方法主要考察了人眼的两个视觉特性,即韦伯定律和视觉注意机制,并利用这两个特性计算对应的差异激励图和视觉显著性图,将其作为能够反映图像失真的特征图,同时考虑了观察因素的影响,最后得到了失真图像的质量评价指标。实验结果表明,该方法在LIVE、CSIQ和LIVEMD三个图像库上有很好的表现。三个图像库的加权平均结果显示,本文方法的表现优于所有对比方法,包括近期提出的GMSD和VSI方法,说明本文方法的评价结果与主观感知不仅具有更好的一致性,而且具有很好的通用性和鲁棒性。
简介:在亚微米工艺中,多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关,对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差,使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差,影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVDSiN作为掩蔽层的方法,避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差,改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40nm左右基本可以阻挡95%的N+S/DAs注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点:源漏注入的条件不用更改;多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加,可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。
简介:大家知道,AOI,也就是自动光学检测,作为一种结构性测试手段,在SMT等生产环节得到大量使用,通过过程控制来帮助提升SMT加工质量;有引脚器件,特别是IC的密间距引脚(简称IC引脚)连焊是一种常见SMT缺陷,在密间距IC中尤其突出,是发生度很高的一种SMT缺陷;另方面,器件短路作为严重度最高级别的缺陷,危害大,损失也大,后果非常严重;单板生产的下一工序,整机生产等对此非常重视,多次提出改进需求;作为SMT的检测手段,减少IC连焊缺陷遗漏,成为我们紧急任务,也是长期任务;另方面,我们看到,在h0I检测中,IC连焊的误报情况也是非常严重的,这虽然有我们材料一致性不好,焊接工艺一致性不好,AOI设备机器差异等外部因数息息相关;但我们自身的因数也不可回避;我们的员工在h0I降误报的过程中,因为理解偏差等原因,在参数的标准性和实际操作的灵活性之间没有找到平衡点,往往修改过大,误报是降下来了,但不必要的漏报也产生了;在前段时间的观察中,都反映出同样的问题。本文提出一个新的思路,分析IC连焊的图象类型,将其分成两类:明亮型,和相对宽一些的暗淡型;同样将原来的IC连焊检测项目也由一个增加成2个(所增加一个为我们超常规使用供应商设备职能),分别检测对应两类连焊缺陷图象;这样来减少连焊缺陷遗漏的机会;另方面,由于解决的不良图象分别有针对性,这两个条目中,相关参数可以有条件地弱化,这也为减少连焊缺陷误报创造了可能.本方法已经成功实践,在VT-WINII设备上的E72U6—2-V010等AOI程序上试用过,效果显著,建议推广,并继续观察和改进。