简介：利用核反应^30Si(n,γ）^31Si→β^-^31P，硅可以被掺磷。其电阻率被定在2-200Ω·cm之间的值，测得的电阻率分布情况表明，掺杂剂的宏观均匀分布。从二极管发射出的击穿辐射照片证明，这种硅还具有电阻率的微观起伏呈无条纹状分布的特点。用这种均匀掺杂硅制备的二极管和晶闸管具有400～5200V的电压阻断容量。

简介：电气失效的后果可能是很严峻的:不仅涉及设备,而且在最坏的情况下还直接涉及到人,特别是如果安全原则没有被遵守的话。每年基于直流环节电压源变换器的新应用都在增加,有关大功率IGBT模块采用电力电子技术来保护的需求亦与日俱增。鉴于功率水平日益增大的事实,更多的能量被储存在直流环节中,即使采用了有源保护,一旦电路失效条件发生之时,大功率的IGBT还是存在着被损坏(炸裂)的风险。一种可能的解决方案就是采用标准的快速熔断器或快速IGBT熔断器来对变换器实行保护。讨论了采取在直流环节放置IGBT熔断器来实施这种保护的方法。实验表明,采用特殊的快速熔断器保护,这样的炸裂是能够避免的。这里研究了在直流环节中标准的快速熔断器和IGBT熔断器的附加电感。还讨论了在负载电流中引入高频分量时熔断器中的电流分布问题。进一步又讨论了IGBT熔断器的超额成本是如何可能通过易于维修和减少生产设备的停机时间而获得平衡的。

简介：介绍了利用精密衰减器压缩数模转换器输出动态范围，等效提高数模转换器的分辨率的方法。再结合闭环温度补偿，设计出程控高精度电压发生器。以低成本的数模转换器取代昂贵的高精密电压源。

简介：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司和芯成半导体（上海）有限公司（简称芯成（上海））今天在上海宣布，双方已成功地联合开发出一种应用于多种领域的高可靠性电可擦写町编程只读存储器（EEPROM）技术。中芯国际为芯成（上海）制造EEPROM芯片，芯成（上海）负责为汽车电子和其他客户提供低成本、高可靠性的EEPROM产品。

简介：机构投资者估计，瀚宇博德（HannStarBoard）2006年笔记本计算机用线路板的全球市场份额约占据30％，年出货量超过原定之2100-2300万片的计划。

简介：本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度，屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷：平衡，从而减少MOSFET的通态电阻和栅电衙。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50％以上。为进一步改善器件特性，一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中，使得反向恢复电荷减少了将近20％-上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的倒步降压变换器应用中，能提供1．5％的最高效率改进。

简介：目前在永磁电机控制领域中，使用无位置传感器的电机调速方式获得了广泛的应用与发展。通过过去几十年的不懈研究，出现了多种无位置感应器控制算法，通常这些算法可以被归为两类，即仅适合于电机高速区使用的算法以及仅适合于电机低速区使用的算法，但是到目前为止，没有任何一种算法能够在电机的整个调速范围内都有效。本文提出了一种新型的融合了高速算法和低速算法优点的混合算法，该算法在电机的整个调速范围内都能有效的估算转子位置。

简介：印制电路板（PCB）是现代电器安装和元器件连接的基板，是电子产品中最重要的基础电子元件，没有一定专业技术的普通百姓和广大电子技术爱好者，特别是广大青年学生自己无法动手制作。工业上，专业制作印刷电路板大多采用“减法“或“加成法”工艺，腐蚀法（即烂板的方法）视为“减法”，因为是在一块铜箔板上蚀刻掉（减去）多余的部分，而留下需要的线，这是最早、最传统的方法。

简介：为了能在下一代风力发电系统中起到重要的作用，我们已经开发出一种新型的600A—1700VIGBT模块。这种模块主要具有以下特点：（1）热阻低，这是通过采用带有针形翅片散热器的无导热硅脂的“直接液体冷却”技术实现的，其中冷却液通过针形翅片的压降以及效率都经过了优化设计；（2）封装尺寸小，这使电源调节器系统小型化成为可能；（3）可靠性高且寿命长，这是通过高强度Si3N4绝缘衬底和新开发的Rot—iS焊接技术来实现的。与采用导热硅脂间接冷却的传统模块相比较，我们发现此IGBT模块的热阻Rj-W降低了35％；与传统模块在相同功率容量下比较时，这种IGBT模块连同冷却液通道的基座（channelcoverjacket）的总重量减轻了大约37％，体积减小了约45％。

简介：本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%，总功耗则降低约30%，将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。

简介：智能化数字IPS驱动器可使IGBT模块降低开关损耗，并且具有卓越的保护功能。通过对驱动器软件的设置，可简便地用于各种专用领域。

简介：Fluke233是世界上第一款分体式无线数字万用表，在最近连续获得了两项殊荣，分别是2010年芬兰（电力／通讯／光电展）创新产品奖和2009年“20佳”维修工具称号。

简介：现在的汽车上有很多电力驱动装置。从车窗的起落装置到电动助力转向系统，各种不同的动力都是由不同的电机和电子元器件组合来提供和实现的。用来驱动这些应用装置的变换器一般是由几个N沟道场效应管，一个驱动集成电路，一个微处理器，和通信与电源设备组成。典型的应用是驱动电动机的功率开关，只有一个H桥拓扑或是三相桥结构。作为微处理器和功率场效应管的接口，驱动电路将提供给场效应管的栅极必要的电流和电压，以保证它达到安全和预期的开关性能。针对汽车对于安全性方面的较高要求，一些保护功能也被纳入到驱动电路中，比如短路保护和过温保护。本文主要介绍一种新的方法，即用一个P沟道MOS场效应管作为高压端开关，而一个N沟道MOS场效应管作为低压端开关。先介绍其优点，再分析它的缺点。此外，本文还介绍P／N沟道组合的驱动集成电路，此电路现在市场上没有出现。

简介：介绍了C8051F020单片机和图形点阵液晶显示模块FM12232C的性能特点，分析了在单片机C8051F020主控下FM12232C的硬件接口电路和软件设计方法，利用该方法可成功实现对液晶模块的控制和汉字显示。

简介：介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法，通过大量的实验及不断的工艺优化，制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的薄膜电阻器基片，并已投入批量生产。

简介：本文叙述一项名为＂用于有源设备中的电子元器件（EfA）＂的合作研究项目的一些研究成果。采用内燃机的冷却线路对功率电子设备进行冷却,内燃机的温度能达到105℃（最恶劣情况能达到125℃）。所以,功率器件必须能经受住高达200℃的高温。挑战性的主要指标是功率循环能力。随着封装工艺的改进,这个目标是能够实现的。采用系统功率循环试验激发各种失效模式,并评估所采取的改进措施的效果。已发现,当采用新的内互连工艺,功率循环寿命能提高100倍之多。

简介：本文介绍了Infineon公司专为Inom〉300A中大电流应用设计的最新的650VIGBT4。与600VIGBT3相比，该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度，减小了MOS沟道的宽度，提高了背面的发射效率。相应地，器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。

简介：全球功率半导体和管理方案领导厂商一国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）今天宣布推出车用600VICAUIRS2334S，适合包括高压压缩机（HVAC）和风扇在内的三相变频电机驱动应用。

简介：应用于EV/HFV（电动汽车和混合电动汽车）转换系统的IGBT模块,要求其提高功率密度,以能达到缩小系统体积的目标。为了达到这个目标,我们研发了采用高热导工艺的新型的高功率密度的6-型（6-pack）IGBT模块。采取的创新措施有：采用直接冷却系统以消除热脂的热阻;优化了散热器和液体套管的设计;绝缘衬底不采用通常使用的Al_2O_3（氧化铝）,而采用了热导率比Al_2O_3高的Si_3N_4（氮化硅）;开发了新型焊接材料。研发的新型IGBT模块能用于EV/HFV转换系统的可能性是非常大的。

简介：单片逆变集成电路已经广泛应用到空调的风机驱动上，它易于受到噪声的干扰。我们为交流220V单片逆变集成电路开发了窄带滤波器来抵抗噪声，它有可以缩短延迟时间的充电和放电加速器，也有滞后电路可以抑制任何阶段产生的噪声。它被置于上/下驱动电路的前级来抑制源于任何输入端子的噪声。本文最后用实验验证了窄带噪声滤波器非常出色的效果。