简介：从静电放电（ESD）导致肖特基整流管失效的案例分析入手,提出了一种新的失效机理,解释了高耐压肖特基整流管静电敏感的原因。结果表明：功率肖特基二极管由于需要生长SiO2作P^＋扩散环的掩蔽层,而在刻蚀SiO2形成肖特基势垒区时,往往会由于各种原因（例如Si表面的微缺陷、刻蚀不干净等）残留少量或极少量SiO2,从而在肖特基二极管中引入对ESD敏感的金属氧化半导体（MOS）电容结构,造成器件的抗静电能力大幅下降。该研究结果对肖特基二极管生产、使用以及失效分析具有重要指导意义。

简介：近年来，由于半导体技术的进步，以及以计算机、移动电话为代表的电子产品的轻薄短小化、高速化的发展，要求它们所用的多层板更趋于向基板层间的薄型化、导通孔的窄间隔化、电路图形的微细化。并需要这些性能能够同步并进，共同提高。

简介：一芯片LED技术发展的趋势根据形状．LED分为炮弹形（灯型）、芯片形（表面安装犁）两种。炮弹形LED辉度高，适用于信号灯、安装在房屋内外的显示器；芯片刊LED是将LED元件安装在制作印制线路板的覆铜板上，具有薄、小、密度高，耗电少的特点，在情报通信的小型，高性能化发展中，用于手机、数码相机、摄像机、其他便携产品或音频设备的操作面、液晶显示器的背光板等，其需求量增加迅速。

简介：研究石墨烯微片(GNPs)的添加对AZ31镁合金纳米颗粒增强活性钨极氩弧焊(NSA-TIG)焊接接头显微组织及力学性能的影响。结果表明，与活性化焊接(A-TIG)相比，NSA-TIG接头熔合区的α-Mg晶粒明显细化，且活性剂为TiO2+GNPs的接头融合区的α-Mg粒径最小。此外，与涂覆TiO2+SiCp活性剂的接头相比，涂覆TiO2+GNPs活性剂接头的熔深并没有明显的变化，但其力学性能(显微硬度和极限拉伸强度)都明显提高。且涂覆GNPs后接头在拉伸时出现了颈缩现象。