简介：湖南大学邹炳锁教授领衔的纳米光子学小组与美国亚利桑那州立大学宁存政教授领衔的纳米光子学小组合作，将半导体激光芯片调谐范围（即发光波长所能调节的范围）扩大，成功地演示出500纳米绿光直至700纳米红光，创下纳米线激光器调谐范同的世界记录，与原来调谐范围最长仅几十纳米相比，发光波长调节范围扩大约10倍。
简介：集成电路工业从一开始就在使用离子注入技术。如果不利用离子注入的固有的精确性就很难制造极大规模集成电路（VLSI）。特别是离子注入可精确地调整MOSFET的阈值电压。离子注入有三大优点：能达到晶片表面上掺杂剂均匀分布、可精确控制掺杂剂的深度及其分布、可精确控制掺杂剂密度。这些优点催生了所谓“掺杂剂分布工程”，它对早期CMOS的研制成功是一个关键因素。如果没有离子注入就不会有CMOS工艺的快速发展也就不会对我们的生活产生如此深刻的影响。
湖南大学改写纳米线激光器调谐范围世界纪录
离子注入：适用于32nm和22nm器件的新工具
