简介：电气失效的后果可能是很严峻的:不仅涉及设备,而且在最坏的情况下还直接涉及到人,特别是如果安全原则没有被遵守的话。每年基于直流环节电压源变换器的新应用都在增加,有关大功率IGBT模块采用电力电子技术来保护的需求亦与日俱增。鉴于功率水平日益增大的事实,更多的能量被储存在直流环节中,即使采用了有源保护,一旦电路失效条件发生之时,大功率的IGBT还是存在着被损坏(炸裂)的风险。一种可能的解决方案就是采用标准的快速熔断器或快速IGBT熔断器来对变换器实行保护。讨论了采取在直流环节放置IGBT熔断器来实施这种保护的方法。实验表明,采用特殊的快速熔断器保护,这样的炸裂是能够避免的。这里研究了在直流环节中标准的快速熔断器和IGBT熔断器的附加电感。还讨论了在负载电流中引入高频分量时熔断器中的电流分布问题。进一步又讨论了IGBT熔断器的超额成本是如何可能通过易于维修和减少生产设备的停机时间而获得平衡的。

简介：本文第一部分评论了当前最新的一些关键技术,涉及功率器件的进展和它们对功率变换应用的贡献,重点放在IGBT和智能功率模块技术上。后一部分讨论了功率模块发展的新领域,包括满足未来应用需要的SiC功率器件的前景。

简介：在几千瓦功率级别的无接触能量传递中应用矩阵变换器，可以减少能量转换的步骤，避免了使用容量大且价格昂贵的直流吲路电解电容器，并减少了在功率半导体器件中的传导损耗，评睦能够实现正弦电流下的心象限运行。在高频输出（100kHz以上）的情况下更需要这种特别的应用方式，才能很好的改进可传输电功率以及无触点磁系统的效率。这篇文章研究了高频输出矩阵变换器与无触点能量传递相结合的特别之处。

简介：本文介绍了飞兆半导体公司最新开发的高单元密度，屏蔽栅功率MOSFET的结构。这种屏蔽栅结构有助于建立电荷：平衡，从而减少MOSFET的通态电阻和栅电衙。这种新技术能使通态电阻比前一代减少50％以上。为进一步改善器件特性，一种肖特基器件也被单片集成在这种新型MOSFET中，使得反向恢复电荷减少了将近20％-上述措施直接减小了在高频、大电流和高输入电压下非常关键的体二极管损耗。该新型器件在典型的倒步降压变换器应用中，能提供1．5％的最高效率改进。

简介：本文提出一种可实现模块组合多电平变换器（MMC）低频甚至零频运行的控制策略,该技术使得MMC适合作为低频运行工况下的三相电机供电电源。共模电压和相应的内部电流确保能量在MMC的桥臂之间对称分布,并避免了直流电源侧出现交流电流分量。

简介：反向阻断型IGBT（RB-IGBT）是一种具备承受正反向电压能力的新型器件，以它为基础，本文研究了一种4kW，可控相移全桥零电流关断（ZCS）DC/DC功率变换器。本文首先简单介绍了反向阻断型IGBT器件和这种功率变换器的理论分析，如工作阶段分析和零电流关断的条件，随后给出了在4kW变换器样机所得到的实验结果。

简介：扼要介绍DC－DC变换器的发展走势，详细描述MD系列功率IC的特性及其在DC－DC变换器中的应用。

简介：由于能源调节的持续增长，电源变得越来越复杂。人们意识到需要一个更简单的方式进行设计时，出现了计算机辅助设计工具。这篇文章就论述了此工具如何很快产生一个连续导通模式升压功率因素校正设计的优势。全部设计已经得到证实，并且会提供一些相关的公式。

简介：

简介：本文提出一种基于开放式变压器的新型模块组合多电平变换器（MMC）。与传统MMC的两个桥臂电感串联连接在各相桥臂内以抑制环流不同，本文提出的新型MMC中，两个桥臂电感由变压器替代。该拓扑不仅可以抑制环流，同时可降低一半的直流母线电压，因此，与传统MMC相比功率开关器件的电压定额可降低一半。本文提出的新型MMC拓扑可应用于电机传动和输电系统，仿真和实验结果验证了该拓扑的可行性。

简介：本文介绍了一种应用于电动汽车动力系统的大功率双向DC／DC变换器，该变换器中应用了一种特殊的数宁控制策略，它可以令能量在小同方向之间进行平滑的切换，并促使变换器实现自身的能量管理。作为一个实例，该变换器的优点在燃料电池汽车的研究中得以体现，下文中将具体给出该变换器的使用数据和测试结果。目前适用于24kW和70kW功率等级的双向DC／DC变换器的两种拓扑结构已经被设计出来，并得到了认可。这两种变换器具有全数字控制的过压、过流和过温保护，变换器中冷却液的温度最高可达85℃，而变换器的损耗却很低，同时功率密瞍可高达5W／cm3。变换器的特性参数和在燃料电池汽车中应用时的测试结果，将在下面予以介绍。

简介：介绍并评论了DC-DC变换器早期理论的代表性著作——美国Moore博士1966年发表的论文"DC-DC变换网络的基本问题"。回顾了国际电力电子学术活动进展的历程,分析了这篇论文的时代背景及其特点。

简介：为适应增大变换器电流和提高CPU性能的不断要求，研究出降低输出电压而不降低效率的应对措施，它促使MOSFET工业以惊人的速度不断创新。带基STripFET^TM的第三代产品已达到很低的导通电阻乘栅电荷的所谓品质因数(FOM)。从根本上说，它受益于新型集成技术，还可能由新技术带来内在的多样性和灵活性。本文阐述了实际的电压调节模块(VRM)拓扑，并示出效率结果，以便与竞争对手——沟槽型MOSFET结构比较，以表明STripFET^TM的性能优点。此外，还给出许多特殊功能。