简介：采用溶胶-凝胶法在玻璃基底上制备了Sb掺杂SnO2（SnO2：Sb）薄膜。研究了膜厚对SnO2：Sb薄膜红外光学性能的影响，利用X射线衍射仪、分光光度计、霍尔效应测试系统对薄膜样品进行表征和测试。结果表明：SnO2：Sb薄膜为四方金红石型结构；当膜厚为1220nm时，薄层电阻最小，为157Ω／□；在红外波段，透射率随膜厚的增加显著下降，当膜厚为890nm时，在波长2000nm处，透射率接近于0，膜厚为1220nm时，在波长1750nm处，透射率为0。

简介：石墨烯是一种由碳原子sp^2杂化形成的二维蜂窝状结构,具有＂零渗透＂的优点,在阻隔性包装材料中具有较大的发展潜力。本文采用改良的Hummers法制备了氧化石墨烯片层,考察了不同氧化程度、不同分散介质与氧化石墨烯分散性、透明性的关系;将其涂布在PET薄膜上,进一步探索其对薄膜阻隔性能的影响。研究结果表明随着氧化程度的增加,氧化石墨烯GO在水中的分散性增大,在分散介质中加入PAA和PVA有利于分散性的提高,但PAA优于PVA;此外,涂布后PET薄膜的氧气透过量降低了30%,水蒸气透过量降低了20%,GO涂布后有效的提高了PET薄膜的阻隔性。

简介：温州市那鸿包装有限公司年产2000吨薄膜及包装袋建设项目位于浙江温州苍南县龙港镇规划一路与园区一路交叉处,建筑面积4000m^2。新项目主要以聚乙烯树脂、母料、油墨、乙酸乙酯、异丙醇等为原辅料。

简介：采用脉冲激光沉积技术（PLD）在氧气气氛中以高纯Zn为（99．999％）靶材，在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜。通过X射线衍射仪、表明轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究，分析了ZnO薄膜的沉积时间对其性能的影响。结果表明，采用PLD法在室温下可以制备出（002）结晶取向和透过率高于75％的ZnO薄膜，但室温下沉积的ZnO薄膜的发射性能较差，沉积时间的延长不能改善薄膜的发光性能。

简介：由上海大学夏义本教授课题组承担的强磁场下纳米金刚石薄膜的制备技术项目通过上海市科委验收。

简介：日本原子能开发机构（JAEA）先端基础研究中心和千叶大学大学院等的研究小组，通过对X射线磁圆二色光谱法观测到的信息进行解析，搞清楚了在向石墨烯注入电子自旋时，作为自旋注入源的磁性金属（镍）薄膜和石墨烯结合面附近的自旋状态。

简介：本文通过薄膜拉伸一一回弹性试验，分析实验数据后指出，薄膜在外力作用下被拉伸至其塑性变形段后，当外力被去掉时，该薄膜不会恢复到其初始的长度值，但会发生某种程度的回弹。

简介：具有黄铜矿结构的CulnSe2（CIS）类薄膜太阳电池随着其转换效率的进一步提高，受到日益广泛的关注。相对于CIS材料，Cu（InAl）Se2（CIAS）具有更高的禁带宽度，可用比Ga合金更小的相对浓度来实现更可观的带隙，CIAS有望取代CIS成为薄膜太阳电池的新型材料。结合最新研究进展论述了CIAS薄膜材料的不同制备方法及合成机理，并讨论了目前CIAS太阳电池研究中存在的问题和今后的发展方向。

简介：

简介：概述了铁电薄膜在非易失存储器中的应用研究现状，将铁电存储器与其他类型存储器进行了比较，针对铁电薄膜在存储器中的应用，探讨了铁电薄膜制备工艺与半导体工艺兼容性、极化疲劳、尺寸效应等几方面的问题，指出了当前研究的重点。

简介：采用电沉积法制备了Fe（Ⅵ／Ⅲ）薄膜电极，研究了制备条件的影响及其电化学性能。利用SEM、AES、循环伏安及恒流充放电等测试手段分析了Fe（Ⅵ／Ⅲ）薄膜的微观形貌及其电化学性能。结果表明，Fe（Ⅵ／Ⅲ）薄膜上有微小的针状颗粒；Fe（Ⅵ／Ⅲ）薄膜电极具有电化学活性，可以进行锂离子的嵌入与脱出；Fe（Ⅵ／Ⅲ）薄膜电极表现出初次充放电的高容量和高放电平台，初次循环后充放电容量逐渐降低并稳定在一个相对低的数值。

简介：随着第五代大面积薄膜电池实现量产，一个全面普及应用太阳能光伏发电的时代即将来临，太阳能发电将如同粮食、饮水一样随处可得，太阳能发电一定能成为取之不尽、用之不竭、清洁环保的替代能源。

简介：通过实践操作经验结合相应的理论知识，分析了在生产过程中温度参数设定、模口间隙调整、风刀装置、缩幅等影响流延聚丙烯薄膜厚度均匀性的主要因素。同时提出了对这些主要影响因素的控制方法和操作要点。

简介：用喷雾热分解方法制备PZT薄膜，由TGA和DTA确定其退火温度，由XRD和SEM研究其结构特性，用电容-电压技术研究其铁电特性，研究发现：Sawyer-Tower桥测定的C-V曲线与电容-电压技术的结果不同，其铁电性质如电滞回线、Ec和Pr、回线中心的位移、对称性等依赖于测量频率。

简介：本文介绍巴基斯坦三集薄膜有限公司在薄膜芯层中使用了HD915CF的效果。该产品不仅改善了流延膜的刚度，而且有益于整个复合包装，从而使材料性能发挥超越了预期。包括封口层的密封性能变得更加一致，甚至增强了氧气和水蒸气的阻隔性能。

简介：利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备Bi／Bi2O3晶格复合热电薄膜，考察了溅射功率对单层Bi薄膜表面粗糙度和热电性能的影响，结果表明，当溅射功率为22W时，薄膜具有最小的表面粗糙度16.3nm，电导率和功率因子分别为2．9×10^4S／m和5．74μV／k^2m，单层Bi薄膜最佳的工作温度为85～105℃。Bi／Bi2O3晶格复合热电薄膜最佳的溅射层数为5层，其电导率和功率因子分别为9．0×10^4S／m和21．0μN／k^2m，分别比单层Bi薄膜提高了2．1倍和2．65倍。

简介：本文详细分析了BOPA薄膜的各项性能指标及质量控制点，并介绍了生产、使用和仓储的注意事项。

简介：采用脉冲激光沉积法,在Pt/SiO2/Si的基底上制备CeO2薄膜,并使用导电原子力显微镜（ConductiveAtomicForceMicroscopy,CAFM）对CeO2薄膜的局域阻变效应及其形成机制进行了研究.结果表明,CeO2薄膜具有双极性阻变特性,且复位过程中出现多阻态,限流值的大小影响开启的导电通道数量,并对其低组态阻值和开关比有显著影响.采用导电细丝模型对CeO2薄膜的阻变机制进行分析,表明氧缺位的形成及其在电压作用下的迁移是导电细丝形成和破灭的关键.

简介：来自SensoryAnalytics公司的全新SpecMetrix同步薄膜测量系统，凭借其可以在生产过程中更加精准的测量涂层及薄膜厚度的独家功能，成为了涂覆薄膜与铝箔、软包装及柔性电子行业中最有影响力的技术之一，获得本届ICEASIA2014展会的创新奖。

简介：国家标准GB／T31727—2015（（透明薄膜磨花程度试验方法》已发布，自2016年1月1日实施。本文介绍标准制定的背景和概况，并阐述了试验设备的要求、试验条件以及磨花程度评定方法，包括观察法，光泽度差比值法，雾度差值法。同时对试验参数的确定进行了讨论。