学科分类
/ 1
4 个结果
  • 简介:采用PI校正方法对并联有源电力滤波器电流环进行控制。通过对并联有源电力滤波器的开环幅频特性分析和PI校正分析,得到了并联有源电力滤波器电流环控制的校正参数。通过仿真实验,对有源电力滤波器的补偿精度进行分析,结果证明该校正方法能够取得较好的补偿效果。

  • 标签: 有源电力滤波器 电流控制 PI校正
  • 简介:在所有的电力电子设备中获得最高的转换效率永远是人们追求的头等目标。在一些新标准的规定下目前很多功率转换设备都必须具备有效功率因素校正功能。对电子元件而言额外的功率损耗会增加散热器和整个设备的体积。本文研究的目的就是在不断增加设备成本的情况下将损耗降到最低。

  • 标签: 功率因素 第二代 电力电子设备 正解 功率损耗 转换效率
  • 简介:实验评估了600V,4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌,SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用,作者考虑选用一种300W,按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果,特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果,本文表明在功率因数校正器设计中,采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。

  • 标签: SiC肖特基功率二极管 Boost功率因数校正器 性能评估 电磁干扰 半导体材料
  • 简介:在200W连续导通模式功率因数校正(PFC)系统中,新一代600V砷化镓(GaAs)肖特基二极管与硅和碳化硅(SiC)二级管比较,砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25%。由于砷化镓有较低的结电容,砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比,砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说,新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

  • 标签: 肖特基二极管 砷化镓 功率因素校正 高功率密度 一代 功率因数校正