简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：Atmel公司近日宣布为8倍DVD双层写速度推出两款新的激光二极管驱动器ATR0839和ATR0849。这些新器件拓展了Atmel现有的用于较高写速度的LVDS（LowVoltageDifferentialSignals）激光二极管驱动器系列。

简介：提出了一种积累型槽栅超势垒二极管，该二极管采用N型积累型MOSFET，通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时，在N＋区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层，形成电子电流，进一步降低二极管正向压降；随着外加电压增大，P＋区、N-外延区和N＋衬底构成的PIN二极管开启，提供大电流。反向阻断时，MOSFET截止，PN结快速耗尽，利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N＋区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明，在相同外延层厚度和浓度下，该结构器件的开启电压约为0.23V，远低于普通PIN二极管的开启电压，较肖特基二极管的开启电压降低约30%，泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。

简介：<正>美国研究者研制出一种基于碳化硅的雪崩光电二极管,对250-370nm的紫外波段敏感。可用此管进行室温单光子计数。此装置基于4H-SiC芯片设计,面积为160μm×160μm,以此装置与一紫外发光二极管同时用,测得的光子计数率为4.5MHz,量子效率在270nm处为最高。由鲁特格大学、哥达德航天中心与联合碳化硅公司联合研制。

简介：前端系统智能化管理平命的建设是建立在各个子系统的基础之上的，通过总系统的集中控制操作系统平台，宴现对传输信号源系统、机房电源临测系统、IPh网流趟智能化控制系统、机房环境监测系统等高效临测和控制。

简介：产品简介：“指针-M”发光二极管交通信号灯是一种升级了的道路信号设备，具备发光二极管黄光谱强光源，应用了很高的光电技术。

简介：为了解我市各电信企业区县分公司发展现状，按照管局监管重心下沉到区县的工作思路，督促企业落实好2014年电信行业纠风工作各项部署，近日管局局领导谢红华带队前往长寿开展纠风和实名制工作专题调研。

简介：<正>据韩联社11月5日消息,韩国未来创造科学部5日表示,韩国庆尚大学和中央大学的研究小组近日研发出可用于下一代柔性显示器的半导体液晶管,该材料的电荷载子迁移率为12,达到世界最高水平。据介绍,为了使半导体液晶管用于柔性面板AMOLED等下一代显示器,电荷迁移率应超过10,但现有半

简介：通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件（即增加基区结深）,使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

简介：本文主要介绍了水基清洗技术在彩管成型荫罩黑化前清洗中的应用.介绍了水基清洗技术的清洗原理、工艺特点,以及对水基清洗剂的一般要求及实际使用中的注意事项.

简介：2月17日，重庆市通信管理局组织召开了2012年网络与信息安全工作会。管局信息安全管理处、市场监管处、办公室以及国家计算机网络应急技术处理协调中心重庆分中心技术保障处的相关负责同志，三家基础电信企业分管领导和相关部门负责人，我市IDC、ISP企业负责人及工作人员等共70余人参加了会议。重庆市通信管理局党组成员、国家计算机网络应急技术处理协调中心重庆分中心谢红华主任在会上做了重要讲话。

简介：为了加强试点工作的统筹协调，建立沟通机制，更好的掌握重庆市试点企业业务开通情况，重庆管局近日召开了移动通信转售业务试点专题工作第一次会议。各基础电信企业对口部门负责人以及天音通信、苏宁、国美等6家业务上线试点企业代表参加了会议。

简介：碳纳米管和石墨烯等新型碳纳米材料具有优异的电学、光学和力学特性，在柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。从碳纳米材料的制备和器件的构建角度出发，本文介绍了基于碳纳米管和石墨烯的薄膜晶体管器件的最新研究进展。我们将已有碳基薄膜晶体管器件的构建方法分为固相法、液相法和气相法三类，重点讨论和比较了不同方法的技术特点和发展潜力，指出了碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子器件领域中可能的实际应用前景和趋势展望。

简介：Vishay推出首款汽车级光电三极管耦合器-VOMA617A。全新的器件在紧凑型SOP-4微型扁平封装中，集成了高电流传输比（CTR）和5mA的低正向电流。与DIP-4封装相比，节省了309／5的PCB空间。

简介：为进一步规范电信市场秩序，营造和谐的电信市场竞争和发展环境，做大做强我市电信行业整体规模。管局于2012年2月23日组织召开了2012年电信市场监管工作会。重庆市通信管理局党组成员、国家计算机网络应急技术处理协调中心重庆分中心谢红华主任、市场监管处、信息安全处、各基础电信运营企业参加了会议。为深入基层加强各项政策在区县分公司贯彻执行力度，体现监管重心下沉，建立各层面的交流沟通机制，

简介：为了推动全市信息通信业工作部署的落实，了解基层的真实情况，提升通信监管效能，结合“三严三实”专题教育要求，重庆管局组织开展了下基层集中调研活动。此次调研活动由重庆管局蔡立志局长、谢红华副局长、胥红副局长分别带队赴渝东南、渝西、渝东三个地区开展调研。

简介：<正>三菱电机试制出了采用SiC肖特基势垒二极管(SBD)和硅沟道型IGBT、输出功率为300kW级的逆变器。该公司表示,"该输出功率可以驱动轻轨的马达"。三菱电机通过将逆变器的二极管由原来的Si制改为SiC制SBD,可以使功率损耗平均减少18%左右。通过降低功率损耗,将有利于减轻逆变器的重量、或减少发热量、简化冷却机构。三菱电机一直在致力于开发SiC功率元件,以及利用SiC功率元件的逆变器等产品。此类逆变器的输出功率截至目前为几十kW。此次是首次试制成功超过100kW的大功率逆变器。

简介：摘要：随着信息化的不断推进，地下通信管道的需求量不断增加。由于塑料管具有重量轻、耐腐蚀等优点，因此被广泛应用于地下通信管道的生产中。然而，在实际应用过程中，塑料管的生产存在着一些问题，如质量不稳定、使用寿命短等。本文通过分析塑料管生产存在的问题，提出了一些对策，以期解决现有问题，提高地下通信管道的质量和使用寿命。

简介：优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管（RTD）材料结构,并用MBE设备在（100）半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比（PVCR）为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。

简介：