简介：基于微观相场模型,通过分析Ni75AlxV25-x合金在沉淀过程中D022（Ni3V）相沿[001]方向形成的有序畴界面的界面结构、界面迁移及界面成分,研究界面结构对界面迁移特征和溶质偏聚的影响。研究表明：D022相沿[100]方向形成4种有序畴界,界面的迁移性与界面结构有关,除具有L12相的局部特征的界面（001）//（002）之外,其余3种界面都可以迁移;在界面的迁移过程中,V原子跃迁至最近邻的Ni位置并置换Ni原子,反之亦然,即处在最近邻的Ni原子和V原子发生位置交换而导致界面迁移;在迁移过程中,原子的跃迁行为具有位置选择性,每种可迁移界面都按照特定的原子跃迁模式进行迁移;原子在跃迁过程中选择最优化的路径使得界面发生迁移,原子跃迁过程中的位置选择性使得界面在迁移前、后的结构保持不变;合金元素在界面处具有不同的贫化和偏聚倾向,在所有的界面处,Ni偏聚而V贫化,Al在界面（001）//（001）·1/2[100]处贫化在其他界面处偏聚;同种合金元素在不同界面处的偏聚和贫化程度不同。

简介：在80%Al-20%CuO（质量分数）体系中,通过原位反应法制备Al2O3p-Al复合材料。采用不同方法研究CuO颗粒粒度对复合材料合成温度和显微组织的影响。结果表明,CuO颗粒粒度对Al-CuO体系的完全反应温度有显著影响：含有粒度小于6μmCuO颗粒样品的完全反应温度比含有粒度小于100μmCuO颗粒样品的完全反应温度低200°C。当反应温度低于某一临界值时,原位Al2O3颗粒和Al基体之间不能完全结合;当温度高于某一临界值时,原位Al2O3颗粒的形貌从棒状转变成近球形。这两个临界温度受CuO颗粒粒度的影响：含有粒度小于6μmCuO颗粒样品的临界温度比含有小于100μmCuO颗粒样品的临界温度低100℃。

简介：研究石墨烯微片(GNPs)的添加对AZ31镁合金纳米颗粒增强活性钨极氩弧焊(NSA-TIG)焊接接头显微组织及力学性能的影响。结果表明，与活性化焊接(A-TIG)相比，NSA-TIG接头熔合区的α-Mg晶粒明显细化，且活性剂为TiO2+GNPs的接头融合区的α-Mg粒径最小。此外，与涂覆TiO2+SiCp活性剂的接头相比，涂覆TiO2+GNPs活性剂接头的熔深并没有明显的变化，但其力学性能(显微硬度和极限拉伸强度)都明显提高。且涂覆GNPs后接头在拉伸时出现了颈缩现象。

简介：采用溶胶-凝胶法,添加不同比例的Li3PO4助熔剂,合成Li1.3Al0.3Ti1.7（PO4）3锂离子固体电解质烧结片,采用X射线衍射、扫描电子显微镜研究合成产物的结构与形貌,采用循环伏安及交流阻抗技术研究添加不同摩尔分数的Li1.3Al0.3Ti1.7（PO4）3固体电解质烧结片的结构、氧化-还原电位、离子电导率和活化能。结果表明：添加与未添加Li3PO4助熔剂的Li1.3Al0.3Ti1.7（PO4）3烧结片具有相似的X射线衍射结果。添加Li3PO4的Li1.3Al0.3Ti1.7（PO4）3烧结片的空隙率较小,更为致密。添加Li3PO4对Li1.3Al0.3Ti1.7（PO4）3的氧化-还原电位影响不大。在所有添加Li3PO4助熔剂的Li1.3Al0.3Ti1.7（PO4）3烧结片中,添加1%（摩尔分数）Li3PO4的烧结片具有最高的离子电导率6.15×10-4S/cm和最低的活化能0.3142eV。

简介：采用丝印法在铝基板上制备具有低室温电阻率、适中热敏常数的负温度系数BaCo0.02ⅡCo0.04ⅢBi0.94O3/Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3复合热敏厚膜。采用数字多用表、吉时利2400和阻抗分析仪对热敏厚膜的电学性能进行表征。结果表明：随着Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3含量从0.05增加至0.25,厚膜的室温电阻率、热敏常数和峰值电压均有所增加且分别处于1.47-26.5Ω·cm、678-1345K和18.9-47.0V范围内,厚膜峰值电压对应的电流也有所降低且处于40-240mA范围。阻抗谱测试表明,这些热敏厚膜表现出非正常的异质电学微结构行为,由高阻态的晶粒和较低电阻态的晶界区域构成。由此可知,在BaCo0.02ⅡCo0.04ⅢBi0.94O3中添加Ba0.5Bi0.5Fe0.9Sn0.1O3改善了热敏行为但也恶化了电流特征.

简介：上午好！中国工业大奖的设立，是我国工业发展史上的一件大事，是新时期推动我国企业加快走新型工业化道路的又一新的举措。下面我向大家介绍中国工业大奖（以下简称大奖）实施工作情况。