简介：《专家点评》是"电力电子"杂志的重要特色栏目之一。我们将邀请电力电子行业中的知名专家,分别就运动控制、变换电源和电力电子元器件等电力电子主要分支中的某篇关键论文发表点评文章,进行导读,每期一篇。这些论文均由专家推荐,其内容基本上属两大范畴——[前沿]和[经典]。[前沿]介绍当今或今后国际上电力电子技术正在或将要开拓的热点课题,已经取得的成果,尚存的困难与问题,以及最新进展情况和文献。[经典]则是把世界上电力电子技术发展进程中称得上是里程碑式的技术精典论文予以重载,由专家分析这篇论文的主要贡献、对行业发展所起的作用、作者生平简介等。在专家点评文章的后面,我们以附录形式刊出被点评论文的详细译文摘要,以飨读者。希望本栏目能为国内从事电力电子研究、开发、生产、经营、推广的同行朋友,特别是年青科技人员了解前沿动向,了解专业历史提供方便。欢迎读者提出感兴趣的题目,推荐相关论文,以至提供自己的点评文章,我们亦将择优发表,与电力电子领域的同仁共享。《电力电子》编辑部

简介：矩阵式变换器是一种高效、节能、可靠、有发展前途的新型电力变换器．不需要储能元件，可实现能量再生。本文综述了矩阵式变换器的各种换流策略的优越性及不足，并简述了矩阵变换器换流策略的发展动态与研究热点。

简介：本文基于空间矢量调制，提出一种新的用于矩阵变换器的脉宽调制策略，仿真研究结果表明，和传统的调制策略相比，该策略能够减少输出电压的谐波失真。

简介：矩阵变换器具有功率因数可调,无中间直流环节,输出电压幅值、相位和频率可调等优点,已成为近年功率变换研究的热点。本文介绍了矩阵变换器的数学基础和工作原理,重点讨论了控制策略和MATLAB/Simulink建模方法。通过计算机仿真,验证了矩阵变换器良好的变换能力,为进一步的深入研究奠定了基础。

简介：本文揭示和描述了一种新型的矩阵级联型高压变频器，并着重阐述了它的拓扑形式、组成原理、实现方法和研究内容等。矩阵级联式高压变频器具有矩阵变频器、交-交变频器和H桥级联型高压变频器的三重特点，采用虚拟的多重化整流和PWM逆变技术，不需要电容器组，具有体积小，效率高，低谐波，长寿命等特点，所以对它进行深入的研究将具有十分重要的意义。本文对比了矩阵变频器、交-一交变频器和H桥级联型高压变频器的拓扑原理、技术特点和优缺点等。

简介：在几千瓦功率级别的无接触能量传递中应用矩阵变换器，可以减少能量转换的步骤，避免了使用容量大且价格昂贵的直流吲路电解电容器，并减少了在功率半导体器件中的传导损耗，评睦能够实现正弦电流下的心象限运行。在高频输出（100kHz以上）的情况下更需要这种特别的应用方式，才能很好的改进可传输电功率以及无触点磁系统的效率。这篇文章研究了高频输出矩阵变换器与无触点能量传递相结合的特别之处。

简介：手提式电子学的新一代产品，诸如电池电话、数码相机和个人数字助理(PDA)等的厂商在致力于减少手提式产品体积时还要求增加产品的功能，其中包括改善热性能和延长电池寿命。因此，设计者会继续研究上述产品的结构、元器件、布局和封装，以便提高DC～DC变换器的效率。然而提高效率的每个百分比都可转化为较长的电池寿命和更好的热处理，其结果将使上述产品具有较高的长期可靠性。

简介：现在的汽车上有很多电力驱动装置。从车窗的起落装置到电动助力转向系统，各种不同的动力都是由不同的电机和电子元器件组合来提供和实现的。用来驱动这些应用装置的变换器一般是由几个N沟道场效应管，一个驱动集成电路，一个微处理器，和通信与电源设备组成。典型的应用是驱动电动机的功率开关，只有一个H桥拓扑或是三相桥结构。作为微处理器和功率场效应管的接口，驱动电路将提供给场效应管的栅极必要的电流和电压，以保证它达到安全和预期的开关性能。针对汽车对于安全性方面的较高要求，一些保护功能也被纳入到驱动电路中，比如短路保护和过温保护。本文主要介绍一种新的方法，即用一个P沟道MOS场效应管作为高压端开关，而一个N沟道MOS场效应管作为低压端开关。先介绍其优点，再分析它的缺点。此外，本文还介绍P／N沟道组合的驱动集成电路，此电路现在市场上没有出现。

简介：本篇文章介绍了适合瞬态模式的PFC预调节新控制IC。在一个标准的TMPFC控制器的核心基础上，它提供了一个附加的功能，帮助实现无源器件所需要的补助功能，否则它将需要相当复杂的外部电路。这篇文章很详细得描述了这些功能，并提供了一系列的例子让大家更好得享受这个新IC带来的简化以及低廉的成本。

简介：VishayIntertechnology，Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP，该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。

简介：日前，VishayIntertechnology,Inc（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出可在1.5V-5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关——SiP32458和SiP32459。