简介:本文介绍了一种在MEMS磁传感器中利用剥离工艺制作斜面barber电极的技术。通过研究曝光量、PEB温度和PEB时间对负胶倒角的影响得到最佳工艺条件,负胶形貌为倒梯形,等效倒角约69°。曝光量主要影响曝光区域链式反应的充分度;PEB温度和PEB时间主要影响链式反应后收缩应力的释放程度。优化后的工艺成功运用在MEMS磁传感器barber电极的制作中,平面和斜面barber电极无脱落异常。
简介:拥有模拟和数字领域的混合信号半导体解决方案的供应商IDT@公司(IntegratedDeviceTechnology,Inc.)宣布,已推出全球首款针对高性能通信、消费、云和工业应用的CrystalFreeTM压电MEMS(pMEMSTM)LVDS/LVPECL振荡器。IDT的新型振荡器可在业界标准封装中以远低于1皮秒的相位抖动运行,
简介:SiliconLabs(芯科实验室有限公司)日前宣布推出业界最高集成度基于MEMS的Si50x振荡器,旨在替代需要低成本、低功耗和批量生产的工业、嵌入式和消费类电子应用中的通用型晶体振荡器(XO)。新型Si50x振荡器基于SiliconLabs专利的CMEMS@技术,此为首个在大批量生产中把MEMS架构直接构建于标准CMOS晶圆(Wafer)上,从而获得完全集成的高可靠“CMOS+MEMS”单芯片解决方案。
简介:由于在产品尺寸、交付时间、供应稳定性、产品可靠性、器件尺寸和性价比等多方面存在优势,近几年来,微机电系统(MEMS)解决方案正在逐步打破石英晶体解决方案在频率控制和定时产品领域的完全垄断局面。随着SiliconLabs(芯科实验室有限公司)专利的CMEMS技术的采用,公司在一体化频率控制产品上获得巨大突破,通过在先进的混合信号IC之上直接加工谐振器,来获得完整的单片解决方案,这是真正的MEMS+CMOS协同设计。
简介:澳洲科技公司BluechiipLimited和意法半导体(ST)联合宣布,双方合作开发业界独一无二的基于MEMS的跟踪标签正式投入量产,年产能将超过100万颗。
MEMS磁传感器斜面Barber电极制作技术
IDT推出高性能应用的压电MEMS振荡器
Silicon Labs推出业界首款单晶片MEMS振荡器
芯科专利CMEMS技术提供真正的MEMS+CMOS协同设计
Bluechiip和ST合作开发的MEMS跟踪标签已正式投入量产