简介：有约束力的精力和浅施主杂质的空效果精力移动在拉紧的GaN/AlxGa1xN球形的有限潜力的量声明点(QD)基于有效集体近似用一个变化方法是计算的。有约束力的精力作为点尺寸和静水力学的压力的功能被计算。数字结果证明杂质州的有约束力的精力增加，达到最大的值，然后当QD半径为任何电场增加，减少。而且，有约束力的精力为点的任何尺寸与压力增加。为大点尺寸的杂质精力的空移动为小点尺寸比那大得多，并且它被电场的增加提高。我们有或没有紧张效果比较杂质状态的有约束力的精力，并且结果证明紧张效果更加提高杂质绑定精力，特别为小QD尺寸。我们也在我们的工作考虑绝缘的失配。
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