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  • 简介:核电厂仪表及其供电设备安全分级是核电厂设备安全分级的一部分,既与核电厂安全密切相关,又直接影响核电厂的造价,是核电厂建造中必须解决的重要问题之一。核工业标准化研究所1991年组织技术人员在参考了IEC/TC45/SC2《核电厂安全重要仪表和控制系统分级》和KCC-E等国际和国外先进标准后,结合我国国情编制了GB/T15474-95《核电厂仪表和控制系统及其供电设备安全分级》。

  • 标签: 核电厂安全 新标准 GB/T 安全分级 供电设备 仪表和控制系统
  • 简介:总公司科技局:国家技术监督局已于1993年11月发布了新国家标准GB/T1.1—1993《标准化工作导则第1单元:标准的起草与表述规则第1部分标准编写的基本规定》,并已于1995年1月1日起实施,同时代替原国家标准GB1.1—87《标准化工作导则标准编写的基本规定》。该标准是重要的基础标准,它适用于我国各级标准的编写。它的颁布是发展我国社会主义市场经济的需要,是我国标准化工作与国际市场接轨的需要。为贯彻执行好该项新国家标准,国家技术监督局先后发出了技监标函(1994)018号,(1994)061号文。为使我总公司标准化工作适应市场经济发展的需要,并在更大程度上与国际接轨,同时使各级标准编写格式统一。从明年起,凡我总公司内编写的各级标准,均应按GB/T1.1—1993规定执行。为避免过渡期中出现混乱,现对有关问题提出如下意见:

  • 标签: GB/T1.1 标准化研究 标准编写 贯彻实施 新国家标准 核工业
  • 简介:GaAs半导体材料可以提高器件运行速度,日益引起人们的注意,但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个,一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来,该工艺采用三层胶方法,曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的,并且取得了好的结果。

  • 标签: GAAS 半导体材料 亚微米X射线T型栅工艺 制造 半导体器件 X射线光刻