简介：由于产业结构的变化，以及亚洲的成本优势，印刷电路板的制造已经逐渐从欧美退出，向亚洲特别是中国转移。经过近5年来的大规模重组、迁移及技术换代，形成了全球新的产业格局。印制电路板产业的发展已经走上一个相对平稳的发展时期，形成中国／香港、日本、中国台湾、韩国、美国、德国和东南亚地区七大主要生产中心。其中亚洲占到全球生产总值的79.7％。2006年中国已取代日本成为全球最大的印制电路板行业。我国印制电路板制造企业数量较多，单个企业的市场占有份额较小，对市场的主导能力不强。据统计，我国印制电路板行业市场占有率最大的企业市场占有率也仅为3.12％，多数企业的份额不足1％。

简介：2007年进出口额均继续高速增长。由于中国大陆电子信息制造业的高速发展，电子元件进出口总额也持续高速增长。中国大陆一方面电子元件产品产量位居世界前列，大量出口：而另一方面，也是全球最主要的电子元件产品进口国之一。形成这种局面的原因主要是国产电子元件产品主要集中在技术含量较低的中低端领域，大量新型电子元件仍然依靠进口。

简介：飞兆半导体公司日前推出四款30V、N沟道PowerTrenchBMOSFET，在小尺寸封装中提供高效率和耐用性、能满足今日最具挑战性和讲究空间应用的汽车应用要求。

简介：英飞凌（Infineon）公司的CoolMOSCS服务器系列高压功率MOSFET克服了硅的性能局限，其TO220封装的导通阻抗为99mW，TO247封装的导通阻抗为45mW，可承受600V电压。它们的开关速度为150V／ns，允许工程师设计体积更小、效率更高、发热更少的高端电源。

简介：阐述铝电解电容器漏电流产生的原因，分析了漏电流回升的问题，采用合理选择阳极箔、化成引线、严格工艺要求、适当老练及开发高品质的电解液等途径。研制成５０Ｖ低漏电流品，并通过了例行试验，取得良好的效果。

简介：碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiCDMOSIrET已用于开关电路。在此基础上，又研制了一种1200V，550A完全用SiC的对偶模块。本文阐述其中每个开关用11个SiCDMOSFET和11个SiCJBS＊组成的先进对偶模块的实验特性。

简介：本文介绍了辽河油田6000V／1800kW注水泵供电变频改造的情况。基中包括变频器设计及制造中的一些技术问题和改造前后注水泵运行情况的对比。

简介：世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司（以下简称“华虹NEC”）今日宣布，公司与其技术合作伙伴中国科学院微电子研究所（以下简称“微电子所”）通力合作，开发的6500VTrenchFSIGBT（沟槽类型场终止绝缘栅双极晶体管）取得了阶段性的突破，标志着国内自主高压高功率IGBT芯片从设计研制到工艺开发的整体贯通又上了一个新的台阶。

简介：C＆DTechnologies在其1U高度、冗余、热插拔前端电源D1U系列中又增添了1600W48V输出的产品。D1U-W-1600-48-H采用经验证的拓扑学和高密板载功率结构的技术，最大程度地提高了空间效率，可使输出线的功率密度达到70W／立方英寸。

简介：本文介绍了四方V560矢量型变频器在吹膜机收卷上的成功应用。

简介：本文闸述一种被称作双模式绝缘栅晶体管（BimodeInsulatedGateTransistor，缩写为BIGT）的所采用的逆导IGBT概念在实用化方面的进展。介绍了一种采用BIGT技术制造的额定电流超过2000A的3300VHiPak模块，给出了静态、动态特性的测试结果以及棚关参数，这反映出采用新技术后器件的基本性能将要达到的水平。本文还涉及器件的安全工作区、软度、可靠性等其他方面的性能，测试时的结温最高达到150℃。此外，首次给出丁在硬开关频率条件下的BIGT的性能。

简介：在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。本文将讨论其主要技术特点

简介：介绍了四方电气V560系列变频器在加气混凝土生产设备掰板起重机上的应用。使用V560系列变频器后,掰板起重机启动平稳、无溜车,停车快速、准确定位、零速抱闸无振动,有效保证了起重机安全、稳定地运行,系统产生效率得到了极大的提高,同时方便调试、易于维护,为客户节约了运行成本,提高了工作效率,值得广泛推广和使用。

简介：介绍了四方V560矢量型变频器在浆纱机张力收卷控制中的应用方案。本方案可使收卷过程中纱线张力非常稳定,并能根据前级牵引速度及收卷过程中张力的变化自动快速调节,整个系统运行稳定可靠,有效提升了产品产量和质量。

简介：本文介绍了Infineon公司专为Inom〉300A中大电流应用设计的最新的650VIGBT4。与600VIGBT3相比，该器件在关断时具有更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度，减小了MOS沟道的宽度，提高了背面的发射效率。相应地，器件的短路鲁棒性也有了显著的改进。

简介：全球功率半导体和管理方案领导厂商一国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）今天宣布推出车用600VICAUIRS2334S，适合包括高压压缩机（HVAC）和风扇在内的三相变频电机驱动应用。

简介：凌特公司(LinearTechnology)推出两款高速运算放大器产品系列。这些器件比同类产品消耗的功率低50%,同时具有超低噪声性能、轨至轨输出和完全可在3.3V下工作。LT6230/1/2与LT6233/4/5放大器的综合特征非常适合仪器、通信与医疗设备领域中的有源滤波器设计和A/D转换器的驱动。

简介：Vishay公司日前宣布推出占位面积为2525，厚度仅为3．0毫米且具有1．0μH～22μH电感值的新型器件，从而扩展了其超薄、高电流的IHLP电感器系列。

简介：单片逆变集成电路已经广泛应用到空调的风机驱动上，它易于受到噪声的干扰。我们为交流220V单片逆变集成电路开发了窄带滤波器来抵抗噪声，它有可以缩短延迟时间的充电和放电加速器，也有滞后电路可以抑制任何阶段产生的噪声。它被置于上/下驱动电路的前级来抑制源于任何输入端子的噪声。本文最后用实验验证了窄带噪声滤波器非常出色的效果。

简介：仙童公司（Fairchild）面向开关电源市场推出了一款新型最优化高速平面型MOSFET，与通常的500V电压等级的MOSFET相比，它可以降低全方位的损耗。与市场上的超大结面积型的MOSFET相比，这种MOSFET可以减少开关损耗。而和通常的标准MOSFET器件相比，它的导通损耗则大大降低。因此这种500V电压等级的MOSFET可以和一部分超大面积型MOSFET展开市场争夺方面的竞争。