简介：

简介：为了解决高速CCD成像电路串扰问题,分析了产生串扰的原因,建立了CCD成像电路的串扰模型,提出了有效的抗串扰技术。对多通道的CCD视频信号采用带状线而非微带线并使用防护布线进行隔离。对多通道的电源供电进行了隔离,设计并采取有效的去耦电容布线方法,降低了寄生电感,避免了由电源公共阻抗引起的串扰。采用统一的地平面,对模拟电路和数字电路进行分区布局,避免了地弹对信号的影响。针对一个串扰较严重的CCD成像电路进行了实验,结果表明：采取上述抗串扰技术后,通道隔离度大于60dB,有效降低了串扰,提高了图像质量。

简介：科学CCD器件的广泛应用是在复杂的驱动器研制的基础上发展的，随着过去那种采用标准TTL电路构成系统的积木式电路设计方法的摒弃以及大规模可编程器件的逐渐使用，带来了数字电路设计的革命；

简介：为实现多光谱TDICCD的高速高信噪比成像，利用可空间应用的多光谱TDICCD传感器研制出了高性能成像电路系统。该系统以现场可编程门阵列（FPGA）为核心逻辑单元，带有RS422外围通信控制接口，并采用CAMERALINK接口输出图像数据。系统具有动态推扫成像的能力，可同时输出全色和彩色两种模式的图像数据。利用灰度条纹的靶标对传感器的3个多光谱（R、G、B）感光区标定白平衡，利用彩色条纹的靶标对系统进行成像测试，在驱动频率为15MHz的情况下，系统单片CCD输出的图像数据率达到1.2Gbps。试验结果表明，获取全色图像的信噪比达到了53.56dB，各多光谱图像的信噪比较高的也在40dB以上，满足空间对地高分辨多光谱遥感成像的技术指标要求，对高速空间多光谱遥感相机的研制具有借鉴意义。

简介：

简介：针对星用电荷耦合器件（chargecoupleddevice，CcD）在空间环境中遭受的辐射损伤效应，建立了CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法。从辐射模拟源、试验流程、最劣辐照偏置条件、不同能量质子位移损伤等效、质子和中子位移损伤等效等方面，研究了CCD空间总剂量效应、位移效应和单粒子瞬态效应地面模拟试验方法，为开展CCD空间辐射损伤效应研究和加固性能考核提供了试验技术支持。

简介：Inordertoimprovetheresolutionofdigitalholographywithacommon-dimensioncharge-coupleddevice（CCD）sensor,thepointspreadfunctionsarebrieflyderivedforthecommonlyusedandpracticalpost-magnification,pre-magnification,andimage-planedigitalholographicmicroscopicsystems.Theultimateresolutionsofthesesystemsareanalyzedandcompared.Theresultsshowthattheultimatelateralresolutionofpre-magnificationdigitalholographyissuperiortothatofpost-magnificationdigitalholographyinthesameconditions.Wealsodemonstratethattheultimatelateralresolutionofimage-planedigitalholographyhasnocorrelationwiththephotosensitivedimensionoftheCCDsensor,anditisnotsignificantlyrelatedtothepixelsizeofthesensor.Moreover,boththeultimateresolutionandtheimagingqualityofimage-planedigitalholographyaresuperiortothatofpre-andpost-magnificationdigitalholographicmicroscopy.High-resolutionimaging,whoseresolutionisclosetotheultimateresolutionofthemicroscopeobjective,canbeachievedbyimage-planedigitalholographyevenwithasubmillimeter-dimensionsensor.Thissystem,bywhichperfectimagingcanbeachieved,isoptimalforcommonlyuseddigitalholographicmicroscopy.Experimentalresultsdemonstratethecorrectnessofthetheoreticalanalysis.

简介：AsoneofthekeyunitsofspaceCCDcamera,thetemperaturerangeandstabilityofCCDcomponentsaffecttheimage’sindexes.Reasonablethermaldesignandrobustthermalcontroldevicesareneeded.Onekindoftemperaturecontrolloopheatpipe(TCLHP)isdesigned,whichhighlymeetsthethermalcontrolrequirementsofCCDcomponents.InordertostudythedynamicbehaviorsofheatandmasstransferofTCLHP,particularlyintheorbitalflightcase,atransientnumericalmodelisdevelopedbyusingthewell-establishedempiricalcorrelationsforflowmodelswithinthreedimensionalthermalmodeling.Thetemperaturecontrolprincipleanddetailsofmathematicalmodelarepresented.Themodelisusedtostudyoperatingstate,flowandheatcharacteristicsbasedupontheanalysesofvariationsoftemperature,pressureandqualityunderdifferentoperatingmodesandexternalheatfluxvariations.TheresultsindicatethatTCLHPcansatisfythethermalcontrolrequirementsofCCDcomponentswell,andalwaysensuregoodtemperaturestabilityanduniformity.Bycomparisonbetweenflightdataandsimulatedresults,itisfoundthatthemodelistobeaccuratetowithin1℃.ThemodelcanbebetterusedforpredictingandunderstandingthetransientperformanceofTCLHP.

简介：介绍了CCD像感器在光学演示实验中的应用。

简介：提出并建立了基于热像素的电荷耦合器件电荷转移效率在轨测试方法,通过对在轨暗场测试采集到的任一幅图进行计算,统计热像素个数,计算出基于单个热像素的CCD单次电荷转移效率,最后计算求出N个电荷转移效率的均值.研究结果表明：CCD未经辐照时的电荷转移效率为0.999999,在轨受空间辐射后,电荷转移效率降低到0.999958.

简介：对一款CCD进行了3MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系。研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小。研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑。

简介：利用632.8nm连续激光辐照以KAI-1020型IT-CCD为图像传感器的BaslerpiA1000-48gm相机,观察了CCD相机输出视频中通过光斑中心区域贯穿整个画面的均匀串扰线现象。实验发现,当成倍改变相机的积分时间时,与光斑及环境杂光亮度产生明显变化不同,串扰线宽度及亮度几乎不变。通过对IT-CCD激光光斑均匀串扰线产生机制的进一步分析,对串扰线强度与积分时间的无关性进行了解释。

简介：根据电荷转移效率的测试原理,基于宇宙射线高能粒子入射对CCD图像的影响,提出了一种基于高能粒子入射产生亮线的CCD电荷转移效率计算方法,对高能粒子入射产生的12条瞬时亮线进行了计算分析,获得了一致性较好的CCD电荷转移效率.该方法可实时评价电荷耦合器件的在轨性能,对预测CCD成像性能退化情况和使用寿命都具有重要意义.

简介：结合脉冲中子管的结构特征,建立了一套基于Al_2O_3单晶闪烁屏和CCD相机的中子管氘离子束束流截面测量系统。闪烁屏直径为15mm,厚度为0.5mm。为了降低测量本底,CCD相机工作在触发模式。利用有限元分析软件,模拟计算了典型中子管束流参数下的闪烁屏温度,并利用该测量系统获得了中子管氘离子束在靶面处的典型强度分布。结果表明,该测量系统可以准确地反映脉冲离子束束流的横向强度分布特征。