简介：振动夹具附加约束的客观存在，使得在研究振动试验模拟的有效性时必须充分考虑夹具附加约束的动力学效应。通过边界的动力学设计，可以使得改变了边界的试验系统能够满足给定的动力学特性要求，但这种分析的工程应用需要依靠复杂的工程与工具。文中提出了利用二自由度模型评估夹具动力学效应的工程方法，并通过数字模拟进行了方法的验证。

简介：本文采用简单方法,从现象到本质,从特殊到一般,对多普勒效应进行了系统分析,逐步推导出多普勒效应定量公式;为了易于理解,通过举例说明其应用。

简介：神秘气氛笼罩眼睛，在似有若无的裸妆衬托下，色彩玩味非常可爱的灵动，柔和中有点世故，率真的同时带着出位的性感。

简介：O436.42001031601Ce:YIG自旋-轨道耦合对磁光效应的影响=Effectofspin-orbitinteractionstrengthontheFaradayrotationinCe-substitutedyttriumgarnet[刊,中]/杨杰慧,潘留占（河南省洛阳师范专科学校物理系.河南,洛阳（471022））,徐游（南京大学物理系.江苏,南京（210008））∥物理学报.-2000,49（4）.-807-810计算了Ce:YIG中Ce3+离子自旋-轨道耦合对磁

简介：本文利用尖端集电原理，在射频平衡磁控溅射过程中通过施加衬底偏压沉积了Cu20薄膜。然后用原子力显微镜和掠入射x射线衍射仪对薄膜样品的形貌和结构进行表征。研究结果表明，不管施加的是正偏压还是负偏压，所制备Cu2O薄膜的形貌和结构相差不大，均呈现出疏松多孔和（111）择优取向的特点。进一步地，从尖端集电的角度对平衡磁控溅射沉积过程中的偏压效应进行了合理解释。

简介：从电子在电磁场中的狄拉克方程出发,得出电子在电磁场中波函数,分析磁矢热A引起的电子概率波的相移,结果表明:影响电子波函数的相位变化不是B而是A(x),即有一个额外相因子附加在电子概率波上,进而通过量子干涉出现图样的位移。结论是A—B效应的存在说明磁场的物理效应不能完全用B描述,而是附加在电子概率波上的相因子。

简介：高功率微波（HPM）效应实验系统由微波辐射源、效应物和监测系统等组成。微波源产生并辐射电磁波，实验中的微波辐射源分为窄带微波源和超宽谱（UWB）源两种。实验效应物包括低噪高放、TR管、限幅器、混频器和微波组件——被动雷达探测系统RF装置等。详细介绍了这些微波器件和微波组件的基本组成、特性、工作原理和性能，同时介绍了不同效应物的实验系统、实验方法、效应现象和损伤判据。监测系统对目标状态、辐射源状态进行监视，在注入实验中对效应物的注入功率进行测量，在辐照实验中对目标附近的辐射场进行测试标定，为实验结果的分析提供数据。为避免损伤累积效应，损伤实验注入脉冲次数不超过4次。

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。

简介：从双缝干涉的简单理论出发,将光栅分解为许多组双缝,利用人们熟知的干涉条纹间距公式导出Talbot成像位置,结论与Talbot效应公式一致。并由实验证实,在（2m1）d2/λ（m为正整数）的位置得到的为横向平移d/2的周期像,并非原周期性物的负反差像。

简介：介绍了材料位移损伤效应研究中的多尺度数值模拟方法,包括第一性原理、分子动力学和动力学蒙特卡罗方法,举例说明了3种方法的作用和模拟结果,指出了半导体材料位移损伤多尺度模拟研究中待研究的问题,为半导体材料的辐射效应研究提供参考。

简介：对InPDHBT进行了钴源辐射试验,研究了InPDHBT在不同偏置条件下的电离总剂量效应.使用KeysightB1500半导体参数分析仪,测试了InPDHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明：将InPDHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同.

简介：根据驻点声速的现有知识,通过数学推导,得到了声速与流速的关系计算公式,时间相对性公式和多普勒效应公式。

简介：20世纪20年代，分子光谱，金属中的电子发射和α衰变为量子力学隧道效应这一新思想提供了广阔的应用天地。

简介：以Talbot效应实验为例探索研究型实验教学模式,科学设计实验,实施研究型教学方法与手段,引导学生逐步建立Talbot自成像概念,总结自成像规律。并通过课外延展掌握Talbot效应原理,由现象到本质,真正进行探究性学习。教学实践表明,该探究实验提高了学生对实验课程的兴趣,学生的自主性得到充分发挥,科学探究能力得到了训练。

简介：本文介绍一种借助微机研究光电效应的实验系统,微机作为中心控制单元,完成数据采集和存储,实现大量观测数据的建模和平均.最后给出了普朗克常数的测定结果.

简介：O436．42005031662偏振方向对ZnTe电光THz辐射探测的影响=Effectsofprobe-beampolarizationdirectiononTHzdetectioninZnTe[刊,中]／顾春明(上海交通大学物理系,凝聚态光谱与光电子物理实验室．上海(200030)),刘锐…∥红外与毫米波学报．-2004,23(5)．-333-336在实验上研究了探测光的偏振方向对ZnTe晶体

简介：１隧道效应详谬经典理论认为，动能低于势能的粒子不能穿过垫垒，而根据量子理论，由于隧道效应粒子有一定的概率穿过垫垒。其现象及理论计算的结果是肯定的，这是纯粹的量子效应。所谓隧道效应佯谬，是指进入势垒内部经典禁区的粒子似乎处于动能小于零的状态，这实际上是...

简介：在磁阻效应实验中,相对磁阻变化曲线的非线性和线性部分的拐点是人为判断的,具有较大的不确定性.本文采用循环迭代的方法,在假定拐点的情况下,精确的确定拐点,使得实验曲线的非线性部分和线性部分能够同时得到最大程度的拟合。

简介：04372003010350环形斑激光束在非线性克尔介质中环半径的偏移现象=RadiusdeviatingofcirclespotlaserbeaminKerr-medium[刊,中]/苗润才(陕西师范大学物理学与信息技术学院,陕西.西安(710062)),叶青…//光子学报.-2002,31(7).-882-886对于非线性克尔介质中的环形斑调制光束,通过数值求值非线性Schr(o|¨)inger方程发现:当入射光强度超过一定值时,光束在传输过程中将发生环半径偏移现象。并对环半径偏移产生的条件、偏移的特点,以及自聚焦焦点上光强度的横向分布与环半径偏移之间的关系进行了详细的研究。图4参12(李瑞琴)

简介：通过编写程序,模拟因塞曼效应而形成的谱线。程序采用交互模式编写,即可以通过输入磁场大小,能级的角量子数、自旋量子数以及总角动量量子数,运行程序后输出谱线图,展示谱线分布情况。