简介：台湾芯片制造商威盛公司最近将其下一代x86兼容处理器命名为C7。

简介：近来，关于AMD下一代采用90nm工艺生产的处理器的消息流出。根据一家散热器厂商提供的资科显示，AMD的SOI90nm处理器在热量方面并不像Intel的那么高，桌面版本的Athlon64Socket939WinChester核心处理，其4000+（2.6GHz）将不会超过100W的功耗，

简介：高压水射流作为一种新型、高效、清洁的能量,与机械刀具联合作用清洗油管具有优势。根据不同使用条件和适用对象,对水射流参数进行调整,对钻头切削齿和喷嘴布置进行合理的设计。首创了一种高压水射流处理水泥堵塞油管新技术,设计制造了清洗堵塞油管专用设备和工具,现场实验取得了

简介：建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nmSRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移（linearenergytransfer,LET）的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有重离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响。构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法。

简介：Magma公司和中芯国际公司于9月7日共同宣布推出基于中芯国际公司90nm低功耗制程的先进IC实现参考流程，该流程使用了Magma公司BlastPower^TM，BlastCreate^TM和BlastFusion^R产品；中芯国际的90纳米标准单元库和IO单元库，以及Magma的低功耗综合和多电压设计流程，可以解决电源功耗管理中的三个主要问题：动态功耗、漏电功耗和功耗分布。

简介：无线连接、定位与音频平台领导厂商CSR与TSMC2月10日共同发布扩大双方合作关系，CSR已采用TSMC先进的90nm嵌入式闪存制程技术、硅知识产权与射频CMOS制程推出新一代的无线产品。

简介：意法半导体在基于ARMCortex-M系列处理器内核的微控制器研发项目上取得突破，推出采用90nm技术嵌入式闪存的微控制器。这些微控制器的特性包括：运行速度快，外设集成度高，节能降耗，提供高密度的片上SRAM和非易失性存储器。

简介：TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22nm工艺，直接发展20nm工艺。此系基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。

简介：<正>《电子产品世界》2004年8月报道:世界主要半导体厂商的生产领域已可应用90nm工艺技术,为确保技术优势,已把竞争推向65～70nm级工艺,计划2005年推向量产阶段。Intel去年已采用65nm工艺试制或SRAM产品,计划2005年后投入批量生产。东芝和索尼联手开发出65nmLSI,年初已生产出试制品,2008年上半年跨入大批量生产。三星已开发70nm工艺,计划年末在30nm生产线上量产4GbNAND内存。台积电决定2005年前采用65nm技术开发出SoC平台。采用65nm工艺生产芯片,可使芯片上集成的晶体管数翻一番,性能提高,成本下降。因此,后起半导体企业年底前也须进入90nm以下的超微细加工领域,也是今后存活半导体市场的一大关键。

简介：1965年4月，当时还是仙童公司电子工程师的摩尔在《电子学》杂志上发表文章对半导体产业做出预言——半导体芯片上集成的晶体管数量将每年翻一番。1975年他对此预言做出修正，芯片上集成的晶体管和电阻数量将每两年翻一番。而就在该理论提出时，集成电路才问世6年。而摩尔所在的实验室也只能将50只晶体管和电阻集成在一个芯片上。

简介：<正>今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧

简介：<正>世界上的巨型半导体企业如Intel和台积电等将率先从2011年后启动开发22nm以下的微细化量产技术,同时还都认为,2013年后可望量产化的15nm技术是半导体加工工艺发展道路上的一个转折点。其表现为逻辑电路上现用的CMOS平面体管,将转变为具有3维沟道导向的立体晶体管。这一转变势必严重

简介：

简介：<正>台积电CEO兼董事长张忠谋近日在加州圣何塞的一次技术会议上表示,台积电将会和整个半导体产业一起,向14nm以下的制造工艺进军。张忠谋认为,2011-2014年间的全球半导体市场的发展速度不会很快,原因有很多,其中之一就是受摩尔定律制约,技术发展的速度会趋于缓慢。张忠谋表示,2xnm时代眼下很快就要到来,1xnm时代也会在可预见的未来内成为现实,而台积电或许无法在他的任期内走向1xnm,但肯定会竭尽全力将半导体制造技术带向新的水

简介：<正>IBM日前宣布了能够支持22nm制程的全套半导体光刻制造工艺解决方案,能够在继续使用当前光刻技术的前提下,满足今起直至2012年前后半导体工业对制程进化的工艺需求。IBM的新技术为"运算微缩"(ComputationScaling,CS)技术,能够在不提升光刻激光波长的前提下提升制程。IBM半导体研发中心副总裁GaryPatton认为,传统的微缩投影技术过于依赖设备的光学分辨率,而"运算微缩"技术则

简介：英特尔继续依托其“Tick-Tock”策略，已经将企业、桌面、移动平台主流处理器制造工艺提升45nm。2007年1月初，英特尔内部率先研制出世界第一款45nm制造工艺处理器，时隔一年多的时间，英特尔已经基本完成45nrn制造工艺战略部署。

简介：

简介：摘要50000Nm3/h内压缩流程空分设备的技术参数及流程，详细介绍其主要配置，总结了空分设备具有的能耗低，提取率高，运行安全可靠等工艺特点。

简介：<正>台积电、ARM于近日联合宣布,双方已经签订了新的多年合作协议,将共同致力于10nmFinFET制造工艺的研发,并为ARMv8-A系列处理器进行优化。双方表示,20nmSoC、16nmFinFET工艺节点上的合作都非常愉快,因此决定携手走向下一步,并预计最早2015年第四季度实现10nmFinFET工艺的流片。

简介：摘要目的探讨1 064 nm/755 nm双波长激光脱毛的临床疗效。方法2017年1—12月，吉林大学中日联谊医院皮肤科脱毛患者60例，男7例、女53例，年龄18~52(30±7)岁。用双波长激光器对同一患者的对称部位或2个不同部位分别用1 064 nm或755 nm激光进行脱毛治疗，每6周1次，共6次。治疗结束6周后评估疗效、不良反应、患者满意度。结果1 064 nm和755 nm激光脱毛总有效均为58例，占96.7%，各部位激光脱毛有效率在1 064 nm和755 nm两组比较差异无统计学意义(P>0.05)。1 064 nm激光色素沉着1例，755 nm激光色素沉着2例，两者比较差异无统计学意义(P>0.05)；所有患者均未出现色素减退、水疱及瘢痕。1 064 nm组患者满意57例，占95.0%，755 nm组患者满意59例，占98.3%。结论1 064 nm/755 nm双波长激光脱毛均安全有效。