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  • 简介:利用同步辐射掠入射和常规X射线衍射,对Si(001)衬底上自组织生长Ge量子点组分和应变进行了研究。结果表明量子点为50%应变驰豫的GeSi合金量子点,其Ge组分为0.55。此外在掠入射X射线衍射Si(220)峰的高角旁观察到另外一个峰,对应于量子点周围衬底中由成岛引起的压应变。

  • 标签: Si(001)衬底 自组织生长 Ge 量子点 组分 应变