简介：

简介：介绍了具有广阔应用前景的平板显示器件——场致发射显示板及其优良的显示性能。三极结构具有低压调制的优点，而后栅极场致发射显示板更具有结构简单、发射均匀性好的优势。采用丝网印刷工艺成功地制作了后栅极场致发射显示板，利用碳纳米管作为阴极材料，并对介质层厚度对器件的影响、老炼、发光均匀性等问题进行了探讨。

简介：所属领域新材料领域项目简介国家“863”支持项目采用一种新的制造技术，制造〈110〉轴向取向多晶棒材，在5MPa预应力和5000e磁场下的磁致伸缩系数达／／=950～1150ppm，重复性好，一致性高，工艺易于控制，成品率高。已获国家发明专利，拥有自主知识产权。

简介：为了克服用Fe（NO3）3、Mg（NO3）2体系催化剂自由生长出的碳纳米管缠绕程度较严重，分布不均匀的缺点，采用丝网印刷催化剂的方法将其印刷在石英、硅和钛三种不同的基底上，结果表明，在石英基底上，用CVD法制备的碳纳米管分布较均匀，有效地克服了团聚现象，并用其作为场发射的阴极进行场发射实验，实验表明，该阴极开启场为2．2V／μm，在电场强度为3．0V／μm下，阳极电流为46．6uA，场发射电流稳定，波动小于5％。该阴极可望应用于场致发射显示器、液晶显示的背光源、照明光源等器件。

简介：通过低压化学气相沉积法在硅片上制作碳纳米管薄膜阴极,用真空荧光显示器的封装工艺,制备了碳纳米管场发射显示器试验性样管。比较测试可知,直接测量显示屏的器件电压和测试电源驱动电压所得结果是不同的,用后者代替前者不够合理。通过光亮度与电压、电流、功率的关系曲线比较分析可知,用光亮度与电流成线性关系的结论表征碳纳米管场发射显示屏的性能比用电压更合理,更利于器件的分析和设计。

简介：为同时实现电子信息装备正常电磁环境下工作和强电磁脉冲下电磁防护的双重功能,介绍了一种在电磁场下具有变阻抗特性的智能电磁防护材料,场致电阻材料.该防护材料利用其在强电磁场下发生绝缘体/导体相变的特性,可以实现在强电磁脉冲辐射下防护材料由高阻抗向低阻抗的转变.场致电阻材料用于电磁防护具有电磁能量选择特性,对于低功率的安全电磁波可以高效透射,而对高功率的电磁脉冲则有效屏蔽,从而达到快速感知电磁环境变化并迅速调节电磁性能的要求.介绍了几种场致电阻材料,分析了其在电磁脉冲防护领域中应用的优缺点,并对未来强电磁脉冲防护材料的发展进行了展望。

简介：以名义粒径为240nm的聚苯乙烯标准纳米颗粒悬浮液为样品，利用离心沉降场流分离仪以0．1％FL-70的水溶液为流动相分离。测定检测器波长为254nm时，纳米颗粒在离心力场的作用下通过分离通道的保留时间，从而确定纳米颗粒的平均粒径，测定值为247nm。此外，还利用扫描电镜法测定了纳米颗粒标准物质的粒径，测定值为220nm，结果表明，离心沉降场流分离技术较扫描电镜法更接近于聚苯乙烯纳米颗粒标准的名义粒径，具有更高的准确度和精密度。该方法可望成为纳米尺度表征的一种参考方法。

简介：提出了一种基于碳纳米管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器模型,该显示器的阴极和栅极位于同一个平面上,阴极和栅极之间的沟槽用激光束刻蚀形成,工艺简单,实验得到的电子传输比可以提高到29.3%。

简介：对于晶体，人们并不陌生。从璀璨夺目的宝石，到日常生活中必不可少的食盐以及冬天里飘舞的雪花等等，这些都是晶体。从概念上讲，晶体是指材料内部的原子按照～定的规律有序排列而形成的一种周期性重复结构。晶体又分为单晶和多晶。单晶体是指在一整块材料中原子均按规则周期性有序排列，由于单晶体内部的规则性和有序性，其外形往往呈现特定几何形状，例如天然水晶和食盐等。多晶体则只是在一定尺度内的原了按规则周期性有序排列，形成一颗颗的晶粒，而晶粒与晶粒之间由无规则排列的晶界分隔开。

简介：1、把握创新的核心:有效的创新都是从小事做起,而非一开始就规模庞大,而且往往是围绕着某一特定事物展开的。2、不要一次从事多种创新:不要分散自己的精力,不要一次做过多的事情。技术、

简介：2006年9月11日，2006第五届中国（国际）纳米科技西安研讨会在古城拉开帷幕，许多国内外纳米专家出席了本次盛会。茶歇期间，我们有幸对教育部长江学者、北京大学物理系教授、国内从事半导体纳米线资深学者——俞大鹏进行了采访。

简介：在自行设计出的直接耦合石英管式微波等离子体化学气相沉积fchemicalVaporDeposition，CVD）金刚石膜装置的石英管反应腔加上磁镜场，以更好地约束等离子体，使等离子体球成为“碟盘”状，提高了等离子体球的密度，在基本参数不变的情况下，沉积面积可由ψ30mm增长到50mm，沉积速度由每小时3．3μm增长到3．8μm，反射电流减小，从而减少了在石英管壁和观察窗的沉积，更好地利用微波能量，有效利用电离的活性基团沉积出高质量的（类）金刚石薄膜。

简介：用溶胶-凝胶法制备了系列掺杂（La0.8Ln0.2）2/3Ca1/3MnO3（Ln=La，Ce，Pr，Nd，Sm，Eu）纳米级晶体。对比在La被其它镧系元素部分替代后，引起的A位离子平均半径的改变和磁矩变化对电输运及磁阻性能的影响，实验分析表明，各个样品在同样大小磁场下的磁电阻存在较大的差别，样品的磁电阻随原子序数的增加而明显变大，由镧系收缩引起晶格畸变所产生的本征磁电阻占主导地位，随着外加磁场的增加，不同掺杂样品间的峰值电阻差异被弱化；各掺杂样品间的转变温度差与掺杂离子半径差和磁矩差密切相关，且离子半径的差异对转变温度的改变贡献更大。