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11 个结果
  • 简介:通过对导弹末区轨迹单站定位测量方法所采用的位置测量方程和速度加速度测量方程的推导,介绍了导弹末区轨迹的单站定位测量原理.系统误差分析结果表明,影响导弹末区轨迹测量精度的主要因素是测量设备的方位角和俯仰角测量误差,而不是通常认为的激光测距误差.通过单站定位测量法与多站交会测量法之间的性能比较,论述了单站定位测量法的技术优势.

  • 标签: 末区轨迹 单站定位 轨迹测量 测量误差 激光测距
  • 简介:为了消除经典滑模变结构控制在导弹控制系统中产生的抖振现象,提出了一种新型的基于二阶滑模变结构控制的导弹姿态控制系统设计方法。为便于导弹姿态控制系统的设计,将复杂导弹姿态运动方程分解成三个简单的子系统,即俯仰通道子系统、偏航通道子系统和滚转通道子系统,同时将三个通道间的耦合项等效为外界干扰。当三通道间的耦合项有界时,分别给出了三个子系统的控制器。仿真结果验证了所提方法的正确性和有效性,并且有效消除了系统抖振现象。

  • 标签: 导弹姿态控制 二阶滑模控制 抖振 李雅普诺夫函数
  • 简介:针对现行侦察手段对敌方海洋移动目标进行地理坐标的测量方法不多,测量精度不高的问题,提出了一种利用反舰巡航导弹搭载北斗卫星定位接收机(COMPASS)、合成孔径雷达(SAR)、脉冲多普勒雷达(PD)、高重频激光测距仪(HRLR)、激光测高仪(LHD)与数据传输系统(DCS),实现对敌海洋移动目标准确识别和精确定位的方法,介绍了侦察导弹的组成,说明了定位原理,给出了物理多站连续交会定位算法模型,进行了模拟测量数据解算和误差分析。通过仿真证明,本方法简单、实用,能够满足实际工程应用的需求,可为海上远程精确打击体系提供高精度的目标位置信息。

  • 标签: COMPASS+PD HRLR组合 海洋移动目标定位 定位误差 精度分析
  • 简介:能够在行星上着原位探测分析样品中有机组分的分析仪器在设计和建造上必须满足诸多苛刻的要求,才能保证宇航发射、飞行、着和探测过程所需的可靠性。这些要求包括:微重力环境;真空环境;大幅度温度变化;强宇宙射线辐射;长时间的宇宙航程;功率限制;体积限制;重量限制;发射和着时耐受振动和冲击要求;可靠性要求;数据压缩和传输。详细地讲解了每项要求对分析仪器的设计所带来的难题。介绍研制的空间站舱内在线气相色谱仪,用于分析舱内的痕量挥发性有机组分,以及明场荧光检测仪器的原理和设计要点。

  • 标签: 深空探测 行星探测 有机组分 仪器研究
  • 简介:采用量子力学的微扰理论,对GaN量子点结构的喇曼频移进行分析.在喇曼实验中,观察InGaN/GaN量子点结构的E2和A1(LO)的模式,并发现实验中样品的喇曼频移与GaN的体材料相比,有着明显的红移.

  • 标签: 量子点 喇曼频移 微扰理论
  • 简介:针对GPS采样频率低、动态精度差的问题,为了在飞机起降性能测试课题中获取更高频率、更高精度的位置、速度等参数信息,利用高速像机阵列对飞机的起飞着运动过程进行接力拍摄,通过对各站点高速像机拍摄到的图像序列分析处理,利用数字图像处理技术、近景数字摄影测量三维直接线性变换(DLT)等算法,解算出了飞机的位置及速度数据。该方法对其他类似飞行物的轨迹测量具有指导意义。

  • 标签: 高速摄像 摄影测量 特征点提取 航迹
  • 简介:利用非线性偏振旋转锁模掺铒光纤激光器和1100m长的掺锗硅高非线性光纤制作了超连续光源,获得了从1150~1750nm的超宽带输出光谱,其中1150~1350nm波段光谱起伏小于3dB,1600~1700nm波段平坦度优于1dB,并有很好的向长波延展空间。光谱展宽的机理为孤子分裂与受激拉曼散射,而四波混频使光谱进一步展宽。

  • 标签: 超连续光谱 高非线性光纤 掺铒光纤锁模激光器 孤子分裂 非线性偏振旋转
  • 简介:去除图像中的椒盐噪声可转化为二维曲面的重建问题。选用Multi-Quadric函数对图像中损失的信息构造插值格式,自动选择待插值点和插值参考点并求解插值方程组得到处理后的图像。实验证明,本方法可以在很少破坏图像细节的情况下去除大部分甚至全部噪声,并且在噪声密度非常大的情况下仍然可以还原相当多的图像信息。对噪声密度为50%和90%的单色Lena图像进行处理,该方法得到的信噪比比自适应中值滤波高6dB以上。

  • 标签: 径向基函数 LDLT分解 椒盐噪声 信噪比
  • 简介:Ⅲ族氮化物(又称GaN)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年,以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展,形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视,形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状,分析了当前GaNLED芯片技术面临的关键科学和技术问题;然后重点介绍了GaN微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态,包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状,电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势,并对GaN功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。

  • 标签: 半导体 禁带 半导体照明 功率电子器件
  • 简介:采用真空蒸镀与化学镀两种方法制备GaN发光二极管(LED)金电极,分析比较了两种工艺所得芯片成本、外观色差、打线拉力。结果表明,化学镀金可选择性还原欲沉积的金属于电极上,较之蒸镀整面金属,可大幅度节省金属成本,且操作简单易行。化学镀金法所制得金属层,较蒸镀法所制得金属层表面粗糙,可有效减少电极间的色差,且能提高打线或焊线的附着力。

  • 标签: 真空蒸镀 化学镀金 发光二极管 色差 附着力