简介:最近,中科院物理研究所白雪冬研究组的王文龙副研究员和博士生杨晓霞等人在单壁B—C—N纳米管研究方面又取得了新进展。三元B-C—N纳米管的合成有两个基本途径:直接生长法与碳纳米管取代反应法。直接生长法是指把B、C、N三种元素的前驱物同时引入生长环境,在纳米管生长的同时实现对其B、N掺杂,CVD方法便是直接生长法的一种。而所谓取代反应法则是以预先合成好的碳纳米管作为母体,在高温下使之与合适的含B和N的化合物之间发生化学取代反应,当碳纳米管晶格中的部分C原子被B、N原子所取代掺杂后,便得到三元B—c—N纳米管。纳米管取代反应法在原理上是一种能大量制备三元B—C—N纳米管的方法,曾经在B—C—N多壁纳米管的合成方面取得较好的结果,但是对单壁纳米管却一直难以奏效。
简介:以中国专利局、美国专利商标局、欧洲专利局世界专利等数据库中检索到的已公开发布的相关专利为研究样本,对专利的特征进行了统计和分析.结果表明:目前检索到700℃先进超超临界(A-USC)电站锅炉主要候选材料的核心发明专利为13项,主要包括Inconel740/740H、Inconel617/617B、HR6W、Sanacro25、GH2984等牌号合金;其中Inconel617/617B和GH2984的专利已过期,且未检索到最新专利;有关Inconel740/740H、HR6W和Sanncro25等合金的专利分别在近年申请并获得授权,专利的保护范围主要针对合金的成分、组织、用途、制备方法等方面,且这些专利保护的范围很广,有效地保护了合金的知识产权.