简介：利用SOI衬底生长部分／完全耗尽结构的晶体管或用应变沟道提高器件性能可制备出高性能CMOS逻辑器件；这两种方法均可用于CMOS结构，也可单独用于提高器件性能。将应变用于器件沟道，可将沟道迁移率提高50％，从而提高了器件电流。SOI晶体管的好
简介：在应变率10^2～10^3s^-1范围，研究比较了Mg-0．6Zr、Mg-3Al—6Zn-0．3Mn-2Y、Mg-8Zn-0．6Zr-SY3种镁合金的压缩性能及微观组织变化。研究发现，变形抗力、极限强度以及极限强度的应变率敏感性由大到小依次为：Mg-8Zn-0．6Zr-5Y〉Mg-3Al-6Zn-0．3Mn-2Y〉Mg-0．6Zr；塑性大小则与变形抗力大小相反；3种合金的微观组织应变率敏感性与力学性能应变率敏感性并不一致。
简介：近日，中国科学院深圳先进技术研究院先进材料研究中心汪正平与孙蓉领导的先进电子封装材料创新科研团队，研发出一种具有低成本、高可拉伸性、高灵敏度等功能特性的柔性可拉伸应变传感器材料，并实现对人体运动行为的实时监测。
SOI和应变Si的将来
3种镁合金高应变率压缩性能的比较
深圳先进院柔性应变传感器领域研究获进展
