简介：蓝牙安全问题是除价格之外直接制约蓝牙技术广泛应用的瓶颈之一,文章通过对其安全结构、安全模式、安全级别、链路层安全参数、鉴权、密钥管理、加密等分析,讨论蓝牙安全体系中存在的一些问题,旨在探讨蓝牙技术在应用过程中如何能够实现一个真正的无电缆连接、方便快捷、安全可靠的通信环境。

简介：对完善的考核机制在提高实验教学质量中的作用进行了简要探讨,以例题的形式详细介绍了大学物理实验考核机制的组成部分,并强调了实施中的注意事项。

简介：为了提高Mach-Zenhder干涉仪的分辨率，需要提高探针光输出亮度。用系列程序进行了低功率密度长焦线类镍银的优化设计。1％预脉冲，驱动激光能量EL=95J，焦线100μm宽、27mm长，25mm长靶，f12=2．75ns，增益系数G=10／cm，增益长度积GL=25。

简介：本文从适应证、临床运用及遣方用药三方面对张锡纯《医学衷中参西录》中的益气活血法进行了探析。1．适应证多。可用于气血虚证、血瘀证、脾胃虚弱证、久病者等。2．运用广泛。治病近20种，如：脑贫血、虚劳、痹症、历节风、瘘废、胁痛、疮疡、癥瘕、少乳等病症。3，用药灵活。对虚中挟实之证，以补气扶正为主，佐以活血：对血瘀兼气虚证，以活血化瘀为主，佐以补气。药物选择上，益气首推黄芪，其次择白术、党参、山药；活血药中，重用当归，喜用药对乳香与没药、三棱与莪术。

简介：应用程一玻恩超导双带理论，分析了压力诱发的超导再进入现象，指出压力使费米面和上面空带的两能级分裂形成靠近的两能带，电子从费米面迁移到上面能带，造成动量空间中上面能带布里渊区电子的再次不对称分布，而产生新的超导相。

简介：根据基础物理实验教学的特点,论述了在实验预习、实验操作两阶段引入激励机制教学手法的必要性和重要性,并以迈克尔逊干涉仪实验为例,阐述了激励机制的具体实施方法。

简介：从新高考改革物理学科遇到的困境出发,分析当下电子游戏能成功的吸引学生的要素,从中提炼出物理学科可以借鉴的思路,用到新课程理念的教学模式中,寻求提高学生物理学科素养的突破口。

简介：为了明确团聚现象及表面性质对ZnS纳米材料发光性质的影响，采用SiO2对ZnS材料进行了表面修饰，并对ZnS及ZnS／SiO2复合材料的光学性质进行对比研究。采用吸收光谱分析了包覆前后光吸收性质的差异，发现SiO2包覆后ZnS纳米材料的带边由333nm红移至360nm。为了研究ZnS纳米材料与ZnS／SiO2纳米复合材料的光发射性质，分别对含纳米材料的水溶液样品及粉末样品的发光光谱进行了采集。对比研究的结果表明，SiO2包覆后ZnS纳米材料在蓝紫光区的发光得到了明显增强。以氙灯作为激发光源所获得荧光光谱显示ZnS／SiO2粉末样品发光的积分强度增大为原来的17．5倍，但相同条件下针对溶液样品的测试结果显示其发光强度只增大了1．1倍，这种增强可用SiO2的存在抑制了ZnS纳米粒子间的团聚来解释，且这一推断由325nm紫外激光激发下获得的光致发光数据进行了验证。

简介：利用自主开发的热管蒸汽流动计算程序SNPS-HPD对HP-STMCs堆堆芯锂热管和辐射散热器钾热管稳态运行时的性能参数进行了分析计算，得到了不同运行条件下锂热管和3类散热器钾热管内部蒸汽流动的压强、温度、速度和流动马赫数分布情况。结果表明：堆芯锂热管内部蒸汽压力和温度在蒸发段均有较大下降，在绝热段呈线性下降，而在冷凝段有一定的回升。锂热管温降主要为内部蒸汽的温降，且蒸汽温降随输出功率的增加而减小；蒸汽轴向马赫数在绝热段出口处达到最大，且随输出功率的增大而减小；辐射散热器钾热管具有良好的等温性，但热管绝热段的设计增加了热管蒸汽的温降，破坏了热管的等温性。

简介：介绍了阻变存储器及其I-V特性的测试分析方法。通过测量三明治结构的阻变存储器的I-V特性,采用多种拟合方法,与导电机制原理对比,可以判断器件的导电机制,便于深入分析阻变机理。

简介：美国LLNL用激光性能运行模型（LPOM）系统来运行NIF的首四路激光：（1）用LPOM提供NIF的实时预测功能；（2）用LPOM确定NIF所有激光发射的系统参数设置：（3）用LPOM使拟议中的激光发射对系统发射对系统产生破坏的可能性减到最小。LPOM已成为NIF首四路激光模块调试的关键工具。目前我国原型装置的运行也需要一套模拟运行演示系统。

简介：神光Ⅱ第9路激光装置试运行己逾20个月，实验发次超过450次，进行了多项物理实验，取得了很多的实验结果。第九路激光装置达到了设计的要求，最高输出达到了5102J（3ns）（设计指标为4500J），激光能量密度为6．5J／cm^2四台φ350mm片状放大器在装置的运行中起到了重要作用，超过80％以上的能量是从它们提取的，该放大器已达到实用要求，能够安全稳定运行，至今未发生氙灯爆炸，隔板玻璃碎裂，钕玻璃片潮解和破坏现象。

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.