简介：<正>我厂自建厂以来,热处理中频淬火机床所用的电源采用中频发电机组,中频电能通过专用电缆被输送到生产流水线的专用淬火机床上。利用这样的系统存在着一系列的问题:1.中频发电机组设备容量大,不允许频繁起动,因此电机一经起动,中途不能停机,其空载电能约5％。

简介：<正>富士电机将在深圳建设功率半导体的后工序生产基地,新设功率半导体的后工序组装及检测设备,同时还将建设新厂房。新的生产基地预定从2012年9月开始运转。产能方面,目前计划月产5万个,新厂房完工后再扩大生产规模。据介绍,此次的投资额为15.3亿日元。

简介：介绍了高温超导（HTS）信道化组件对新型信道化接收机研制具有的意义、现状及发展趋势,介绍了国内外高温超导（HTS）信道化组件发展现状,分析实现高温超导（HTS）信道化组件设计的几种方案,介绍了中电16所研制的八信道高温超导（HTS）组件,三信道邻接型分支型组件,且指标插损小于0.2dB,并申报了专利。

简介：<正>日本物质材料研究所最新发现,钴氧化物是一种新的超导材料,在负268摄氏度,钴氧化物层间注入水分子,磁化率和电阻便会急剧下降,使之成为超导物质,这一发现对超导材料领域是一大贡献。据《日刊工业新闻》报道,钴钠氧化物作为热电变换效率高的材料此前一直受到人们

简介：<正>三菱电机在安徽省设立了生产功率半导体模块的合资公司。系与其组装及测试工序制造受托方捷敏电子(上海)有限公司合办,将从2012年1月开始生产。据称,计划2015年将在华组装及测试工序的产能扩大至2011年的2倍。新公司名为"三菱电机捷敏功率半导体(合肥)有限公司"。资本金为500万

简介：从高温超导材料技术、超导强电技术和超导弱电技术三个方面陈述了我国高温超导技术研究与发展现状，并列举了国内一些高温超导研究项目的进展情况及应用水平。对国家重大高温超导研究计划项目，超导材料技术、器件、组件和系统的性能指标，应用推广情况，产业规模，发展水平和发展趋势等进行了讨论和分析。对我国超导技术军、民用技术的市场潜力做了研究、评估和预测。针对国内外高温超导技术发展应用的水平差距，提出了对我国高温超导技术发展和应用的建议。

简介：得可加强精益团队建设让客户期待更多(中国上海,2010年7月22日)得可日前宣布,委任精益六西格玛黑带师宗亮小姐为业务改善工程师。这位新成员将加入得可质量部,主要负责精益业务改善计划,以此提高全公司的效益,除此之外,她还将扩展中国和英国的质量管理系统,让这些地区的客户能"期待更多"。

简介：<正>据《今日电子》2005年第10期报导,美国Illinois大学Urbana-Champaign校区的研究人员使用DNA分子支架研制出的超导纳米器件证实了一种新的量子干扰。这种器件可用来测量磁场和测定超导区域。一位研究人员说:"利用DNA的自我装配过程可为带有分子线度的电子器件制造出复杂的支架。"用来构造和研究纳米结构的包括成对的悬置超导金属线,其粗细仅有3-4个分子直径(5-15nm)。纳米器件的制作需在硅晶圆上蚀刻出宽度仅为100nm

简介：介绍了南开大学在实用Tl和Hg系高温超导薄膜方面的研究工作。在Tl系高温超导研究领域,利用磁控溅射和后退火两步法在LaAlO3（001）衬底上制备出高质量的Tl-1212和Tl-2212超导薄膜,超导临界转变温度Tc分别为92K和106K;在两步法的基础上,利用两次后退火,得到Tl,Bi-1223超导薄膜,超导临界转变温度Tc可以达到110K;同时,利用阳离子置换反应技术,在Tl-1212和Tl-2212超导薄膜基础上得到Hg-1212超导薄膜,利用Tl-2223超导薄膜作为先驱膜,得到Hg-1223超导薄膜,结果显示,Hg-1212和Hg-1223超导薄膜的临界转变温度Tc可分别高达124K和132K。为满足Tl系高温超导薄膜的微波应用需求,分别在LaAlO3、蓝宝石、氧化镁（MgO）衬底上制备出2英寸双面Tl-2212超导薄膜,该超导薄膜具有均匀的超导特性,薄膜超导特性优良,为制备高温超导微波无源器件提供了基础。

简介：介绍了S波段极低噪声超导滤波放大组件的设计过程,采用了低温仿真建模和拓扑结构优化设计关键技术。该组件将用于接收系统中的的低温接收前端,能提高雷达的灵敏度和有效作用距离。该组件由超导滤波器和低温放大器组成,具有体积小、重量轻、可靠性高等特点。

简介：随着社会的进步和科学技术的迅猛发展,对洗净技术的要求也越来越高.清洗方式多种多样,但最主要的是突出在喷射清洗和超声波清洗两大方面,应用于全国各行各业,并且也得到了明显进步.

简介：

简介：<正>为了降低生产成本,国际半导体制造商以及封装测试代工企业纷纷将其封装产能转移至中国,从而直接拉动了中国半导体封装产业规模的迅速扩大。同时,中国芯片制造规模的不断扩大以及巨大且快速成长的终端电子应用市场也极大地推动了中国半导体封装产业的成长。两方面的影响,使得中国半导体封装业尽管受到金融危机的影响,但在全球半导体封装市场中的重要性却日益突出。

简介：

简介：

简介：<正>到2006年或2007年,索尼的数字家电产品中使用的半导体的内制比率将从2003年的约20%提高到40%以上。这是索尼顾问牧本次生2004年9月3日在东京举行的"2004东京国际数码会议"发表的演讲中透露的。

简介：<正>根据美国半导体产业协会最新公布的年报,全球半导体销售2002年将增长1.8%,达1410亿美元,2003年的增长率将为19.8%,达到1690亿美元;2004年将增长22%,达2060亿美元;2005年可望维持在2004年的水平,2060亿美元。2002年闪存全球销售将增长0.7%,达77亿美元;2003年可望增长39%。微处理器

简介：

简介：<正>在历史上,半导体产业的成长仰赖制程节点每一次微缩所带来的晶体管成本下降;但下一代晶片恐怕不会再伴随着成本下降,这将会是半导体产业近20~30年来面临的最严重挑战。具体来说,新一代的20纳米块状高介电金属闸极(bulkhigh-Kmetalgate,HKMG)CMOS制程,与16/14纳米FinFET将催生更小的晶体管,不过每个逻辑闸的成本也将高出目前的28纳米块状HKMGCMOS制程。此成本问题

简介：<正>根据市场研究公司ABI日前的调查,在未来的五年里,整个GaAs(砷化镓)功率半导体和硅功率半导体市场规模将徘徊在每年20亿美元左右,处于相对平稳的状态。ABI的乐观预期显示,未来五年该市场年复合增长率为2%。由于其市场很大程度上仍依靠境况欠佳的蜂窝产业,故强劲的增长趋势只会局限于某些局部市场。