简介：介绍了在软Ｘ－射线显微术研究领域中有重要应用的Ｓｉ３Ｎ４薄膜窗口的实验室制作方法，并形成一套独特制备工艺，Ｓｉ３Ｎ４薄膜窗口的研制成功推动了我国软Ｘ射线显微术研究的发展。

简介：采用自洽场离散变分Xa(SCC-DV-Xa)方法对纯V2O5及夹层V2O5的能带结构、态密度、键强度、电子集居数等进行了研究.结果表明，Li+引入V2O2层间的最佳位置是在双键氧之下(或之上)，且靠近层的中心位置，此时它与周围原子间的作用力非常微弱，并且材料的导电性增强，使夹层复合材料Li+注入/脱出具有很好的可逆性和较好的光学性质.

简介：金刚石（110）表面具有不同方向上抛光速率的强烈不对称的特征,用第一性原理全能量平面波赝势方法模拟研究了类金刚石薄膜表面的结合强度与摩擦性能,确定了相互作用模型以及排斥力作用范围,研究了范德华排斥力在摩擦表面上的分布,研究结果表明,摩擦表层感受到的力在〈001〉和〈110〉2个方向上表现明显不同,而且〈110〉方向上摩擦力一直高于〈001〉方向上的摩擦力.

简介：通过Stille偶联反应合成了5，5″-二辛基-2，2’：5’2″-三联[3，2-b]并二噻吩，并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征．以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管，并对薄膜生长基底温度做了优化，发现基底温度为100℃时器件性能最好，迁移率达到0．13cm^2／V·s，开关比为7×10^3，阈值电压为-19V．

简介：设计并合成了4个基于含硫芳杂稠环化合物的可溶性共轭齐聚物,即以3-十一烷基苯并[d,d′]噻吩并[3,2-b;4,5-b′]并二噻吩（BTTT）为末端芳香单元,噻吩（T）、二噻吩（bT）、N-十二烷基-二噻吩并[3,2-b]吡咯（TP）或2,5-双（3-十二烷基噻吩）[3,2-b]并二噻吩（qT）为中间芳香单元的共轭齐聚物.它们的HOMO能级和能隙分别处于-5.35～-4.95eV和2.62～2.44eV.通过溶液旋涂的方法制备了有序的薄膜,除T-BTTT外,其他3个化合物在薄膜中均表现出edge-on型的层状排列结构.制备了底栅-顶接触型的有机薄膜晶体管器件,qT-BTTT具有最高的场效应迁移率,达到0.012cm2/V.s.