简介：采用脉冲激光沉积技术（PLD）在氧气气氛中以高纯Zn为（99．999％）靶材，在单晶硅和石英衬底表面成功生长了ZnO薄膜。通过X射线衍射仪、表明轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究，分析了ZnO薄膜的沉积时间对其性能的影响。结果表明，采用PLD法在室温下可以制备出（002）结晶取向和透过率高于75％的ZnO薄膜，但室温下沉积的ZnO薄膜的发射性能较差，沉积时间的延长不能改善薄膜的发光性能。

简介：采用脉冲激光沉积法,在Pt/SiO2/Si的基底上制备CeO2薄膜,并使用导电原子力显微镜（ConductiveAtomicForceMicroscopy,CAFM）对CeO2薄膜的局域阻变效应及其形成机制进行了研究.结果表明,CeO2薄膜具有双极性阻变特性,且复位过程中出现多阻态,限流值的大小影响开启的导电通道数量,并对其低组态阻值和开关比有显著影响.采用导电细丝模型对CeO2薄膜的阻变机制进行分析,表明氧缺位的形成及其在电压作用下的迁移是导电细丝形成和破灭的关键.

简介：在液相环境中，利用纳秒（ns）脉冲激光器轰击消融铬掺杂ZnSe（Cr^2＋：ZnSe）微米颗粒，制备出Cr^2＋：ZnSe纳米粒子，扫描电镜以及X射线衍射检测，结果显示，制备所得的粒子为平均尺寸为50nm的ZnSe闪锌矿结构纳米粒子。基于Cr^2＋：ZnSe纳米粒子，观察到中心波长为2180nm、阈值为0．4mJ／pulse的随机激光效应。相比于Cr^2＋：ZnSe晶体激光器，纳米粒子随机激光的中心波长发生了约170nm的蓝移，Cr^2＋：ZnSe纳米粒子的光致发光寿命也比Cr^2＋：ZnSe晶体要短。

简介：随着电子战装备的广泛应用以及电磁脉冲武器、高功率微波武器的出现，战场空间的电磁环境日趋恶劣，使装备面临着巨大的电磁威胁，其对电子设备的破坏已经引起各国的广泛关注，因此对电子设备进行电磁脉冲保护迫在眉睫。首先分析了电磁脉冲对电子设备的危害；然后对防护效果较好的两种新型吸波材料（纳米材料、石墨烯）以及能量选择表面进行了介绍，分析了各自的优缺点及发展趋势；最后重点围绕等离子体电磁脉冲防护，介绍了其防护原理，并对国内外发展现状进行了总结与展望。

简介：

简介：采用高频脉冲电铸工艺制备出了镍钴纳米复合块体材料，利用场发射扫描电镜、能谱和X射线衍射的方法，重点研究了复合块体沉积层的表面形貌、相结构和结晶取向。结果表明．高频率和润湿剂的添加对沉积层的细化有重要影响，高频脉冲电铸能够获得微观组织致密、均匀的复合块体材料。

简介：对纳米材料制备过程中的激光方法——激光诱导化学气相沉积法(LICVD)、激光高温烧灼法、激光加热蒸发法、激光分子束外延(LMBE)、激光诱导液-固界面法、激光气相合成法、飞秒激光法、激光聚集原子沉积法和激光脉冲沉积法(PLD)——作了简要介绍，并就一些制备方法的优缺点进行了比较。

简介：为同时实现电子信息装备正常电磁环境下工作和强电磁脉冲下电磁防护的双重功能,介绍了一种在电磁场下具有变阻抗特性的智能电磁防护材料,场致电阻材料.该防护材料利用其在强电磁场下发生绝缘体/导体相变的特性,可以实现在强电磁脉冲辐射下防护材料由高阻抗向低阻抗的转变.场致电阻材料用于电磁防护具有电磁能量选择特性,对于低功率的安全电磁波可以高效透射,而对高功率的电磁脉冲则有效屏蔽,从而达到快速感知电磁环境变化并迅速调节电磁性能的要求.介绍了几种场致电阻材料,分析了其在电磁脉冲防护领域中应用的优缺点,并对未来强电磁脉冲防护材料的发展进行了展望。

简介：建立在众所周知的原理基础上的热激光切割技术（thermallaserseparation,TLS）用于切割脆性材料。应用范围包括切割显示器玻璃（包括层状玻璃）、浮法玻璃生产线上的玻璃边缘、氧化铝陶瓷等。与其他的激光技术比较，用TLS取代机械法切割晶圆有诸多优点。本文论述了TLS在切割半导体硅片领域的应用。

简介：近年来绿色节能成为发展的主题,当今世界不断寻求更高效节能的光源作为传统照明光源的替代品,LED光源是最佳的选择,随之而来的是近年来高亮度LED在照明领域的应用持续而迅速的扩大。LED制造中激光晶圆划片工艺的引入,使得LED在手机、电视以及触摸屏等LCD背光照明大量使用。

简介：国立信息学研究所科学家成功用光脉冲控制封闭在半导体纳米构造内的电子的自旋状态，这一成果为研制超高速量子计算机打下了基础。这项成果刊登在11月13日出版的英国《自然》杂志上。

简介：美国研究人员成功制造出了全球最亮激光束，激光开启时功率超过了全美所有发电厂输电功率总和的2000倍。

简介：报道了近年来围绕激光辐照改变功能材料物理性质进行的探索和研究结果。研究发现:通过CO_2激光或准分子激光辐照,可以使一部分功能材料的介电、导电、磁性、压电、光学透过率、光致发光谱发生显著变化,材料形态有陶瓷、单晶和薄膜。涉及到的介电材料有:Ta_2O_5、BaTiO_3、Al_2O_3等;采用CO_2激光烧结,可以使Ta_2O_5陶瓷的介电常数提高近1倍(K>60),使(Ta_2O_5)_(1-x)(TiO_2)_x陶瓷的介电常数达到450,而介电损耗基本保持不变。涉及到的导电材料有:聚偏氟乙烯(PVDF)等;通过准分子激光辐照,可以使PVDF的电导率从10~(13)/Ω·cm提高到10~(-4)/Ω·cm数量级。涉及到的磁性材料有:LCMO和LBMO;通过CO_2激光辐照,可以使LCMO和LBMO薄膜的电阻温度系数提高近1倍。涉及到的压电材料有:LiNbO_3、BSKNN、BZT、PZT、NKN等;采用CO_2激光烧结,可以使某些材料的压电系数增大,可以使某些材料易于极化,可以使某些材料的相变温度提高。采用激光烧结技术,成功地烧结出Ta_2O_5、Al_2O_3、YAG等透明陶瓷。通过准分子激光辐照,可以使...

简介：介绍了激光表面改性的方法，综述了几种表面激光改性的研究现状。激光表面改性方法主要包括激光表面合金化、激光表面熔凝、激光熔覆、激光冲击硬化及激光诱导沉积技术，利用激光表面处理技术可改善合金表面耐磨和耐蚀等性能。

简介：

简介：日本空间探测局（JAXA）和大阪大学联合开发出一种器件，可以目前已知的转换效率高出4倍的效率将阳光转换成激光。太阳光作为能源被收集并贮存于一块由铬粉和钕粉烧结制成的板状物中。当以弱的激光照射这块板时，贮存于其中的能量会转变成激光，并被加以放大。试验中使用的是一只0．5W激光器，当将激射光照向这块板时，激光功率可被放大至180W。

简介：

简介：德国EOS公司和美国Victrex公司合作开发出用于高温激光烧结的PEEK（聚醚醚酮）材料。这种首次制成的材料可以用EOS先进的高温P800机进行烧结处理。

简介：据报道，近日，新加坡南洋理工大学熊启华教授领导的科研小组首次证明：利用激光可使半导体的温度从室温冷却到-20℃。这一突破性的科研成果有望在电子和光电子器件上直接实现集成全固态、紧凑、无振动、无冷却剂的光学制冷器，相关元件可应用于航天器高灵敏探测器、红外夜视仪和电脑芯片等。

简介：奥地利因斯布鲁克大学的科学家借助微型半导体结构，用激光照射量子点首次获得了成对的光子。这一成果可进一步推动量子的应用研究，并可用于量子计算机的开发。量子点是准零维的纳米材料，由少量的原子构成。单个原子很难被“固定”，而量子点比较容易“被集成到半导体芯片中”。研究人员在实验中采用了砷化铟中的量子点。这种量子点每个有约一万个原子组成，由于其特殊的结构，它们的活动与单一原子十分相似。