简介：快速哈达马变换在3G无线通信中具有广泛的应用。本文在分析快速哈达马变换算法的基础上提出了两种快速哈达马变换的折叠结构，并分别分析了这两种折叠结构的电路结构、时钟频率要求、资源消耗等因素。最后给出了这两种电路结构在AlteraFPGA上实现的对比情况。

简介：在2006年的大面积降低出口退税的时候，由于被混同在铜箔中而被当作铜制品，出口退税率中从13％降低为5％。在覆铜板协会及覆铜板企业的联合努力下，覆铜板终于在近期被中国海关单独当作一个商品。分析指出，覆铜板出口退税政策有望在未来三个月内调整至15％。当前PCB执行17％的出口退税率，不排除覆铜板的出口退税水平将回复到17％的可能。

简介：Tensilica日前宣布，香港应用科技研究院选择TensilicaXtensa可配置处理器，用于视频处理研究。香港政府成立应科院，从事杰出的研发工作，积极的把科技成果转移给产业界，

简介：由于在产品尺寸、交付时间、供应稳定性、产品可靠性、器件尺寸和性价比等多方面存在优势，近几年来，微机电系统（MEMS）解决方案正在逐步打破石英晶体解决方案在频率控制和定时产品领域的完全垄断局面。随着SiliconLabs（芯科实验室有限公司）专利的CMEMS技术的采用，公司在一体化频率控制产品上获得巨大突破，通过在先进的混合信号IC之上直接加工谐振器，来获得完整的单片解决方案，这是真正的MEMS＋CMOS协同设计。

简介：盛科网络（苏州）有限公司日前宣布推出中国首个支持OpenFlow的芯片参考设计，并在2012年美国加州硅谷的OpenNetworkingSummit（ONS）峰会中展示该参考设计。

简介：日前，国科微发布重大事项停牌公告，称公司正在筹划购买资产的重大事项，预计本次重大事项交易金额达到需提交股东大会审议的标准。据披露，标的资产名称为深圳华电通讯有限公司，主要从事通讯设备的技术开发、设计与生产；有线电视系统、安防系统的设计、生产及工程安装。

简介：是德科技日前宣布，其行业领先的窄带物联网（NB—IoT）射频性能测试方案中标锐迪科微电子（RDA）项目，助力锐迪科加速NB—IoT芯片的测试。

简介：日前锐迪科微电子宣布RDA6861多模前端模块推出样片，它支持四频GSM／EDGE和WCDMA／CDMA／LTE手持移动设备和智能手机。RDA6861是一种高功率，高效率的前端模块芯片，是由多模功率放大器和一个多掷天线开关组成的。该产品的内部功率放大器支持WCDMA／LTE频带的频率，并提供两个可选的，用于外部WCDMA／LTE功率放大器连接的UMTS交换机端口。功率放大器，

简介：8月28日，佛冈建滔工业园的科惠线路板项目正式动工。该项目投资金额约3．2亿元，预计明年4月份投产，新增年产值约10亿元人民币。这是建滔化工集团计划近期上马的五个重点项目之一。

简介：联发科日前宣布出售中国转投资子公司杰发给全球第3大车用数码地图企业四维图新一案，近日正式获得中国证监会的无条件许可，并且最快将在2016年底前完成交割程序。

简介：使用喷墨打印技术制得了高质量的导电银电极，并制备了高性能的有机晶体管器件与简单电路。经优化的喷墨银电极表面形貌光滑、一致性好、电导率高。通过限制墨滴在打印基底上的浸润能力，可以有效减小电极间的沟道长度。基于这种高质量打印银线的短沟道有机晶体管和简单“非”门电路均展示出了很好的电学性能。

简介：本文就运用于某型号雷达中，微波多层印制电路板制造用原材料的泰康利公司高频介质材料TSM—DS3，进行了性能及特点介绍。在此基础上，对选用此类高频介质基板材料及半固化片FastRise-28，制造一种微波电路板的先进工艺技术、以及质量管控技术，进行了较为详细的介绍。最后，还针对此次高频多层印制板制造过程中的关键工艺技术进行了较为详细的阐述，其中包括有TSM—DS3高频材料的多层化实现技术、TSM—DS3—500HM高频电阻材料的平面电阻阻值控制技术、TSM—DS3高频材料的变形控制技术、TSM—DS3高频材料多层板孔金属化互连实现的背钻深度控制技术，以及TSM—DS3高频材料多层印制板局部外形侧壁金属化技术等。

简介：随着半导体器件特征尺寸的不断缩小,器件之间的隔离区域也随之要进行相应的缩小。在0.35μm以上的集成电路制造工艺中应用最广泛的隔离技术是LOCOS(localoxideisolate)技术。该工艺虽然发展历史比较悠久、工艺也比较成熟,但是由于采用了场氧化工艺,所以氧化膜的深度以及由于氧化而在场区边缘的有源区域上产生的鸟嘴效应都限制了这一技术的进一步应用。而浅沟槽隔离(STI:shallow

简介：在近日召开的IEEE国际电子设备会议上，IBM的科学家们展示了一系列突破性的科研成果，这将会大大推动更小、更快、更强处理器芯片的研发。

简介：6月4日，欧盟官方公报（OJ）发布RoHS2．0（修订指令（EU）2015／863，正式将DEHP、BBP、DBP、DIBP列入附录II限制物质清单中，至此附录II共有十项强制管控物质。

简介：TriQuint半导体公司推出四款具有卓越增益和效率，并且非常耐用的新氮化镓（GaN）HEMT射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半，同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6GHz宽广的工作频率上提供30—37W（CW）射频输出功率。

简介：碳纳米管和石墨烯等新型碳纳米材料具有优异的电学、光学和力学特性，在柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。从碳纳米材料的制备和器件的构建角度出发，本文介绍了基于碳纳米管和石墨烯的薄膜晶体管器件的最新研究进展。我们将已有碳基薄膜晶体管器件的构建方法分为固相法、液相法和气相法三类，重点讨论和比较了不同方法的技术特点和发展潜力，指出了碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子器件领域中可能的实际应用前景和趋势展望。