简介:有5-8nm的尺寸的做Eu的GaOOHnanoparticles被热水的方法作为表面活化剂用钠dodecylbenzenesulfonate(SDBS)准备。做Eu的-Ga2O3和-Ga2O3被退火进一步制作GaOOH:Eu然后由X光检查衍射(XRD)描绘了,传播电子显微镜学(TEM)和光致发光(PL)。TEM结果显示出那monodisperse做Eu3+的GaOOHnanoparticles形式然后变换进通过退火的做Eu3+的-Ga2O3和-Ga2O3GaOOH:在600和900点的Eunanoparticles?????????????????@
简介:制备出高质量纳米晶是金属氧化物纳米晶的基础研究和技术运用的首要问题.在有机溶剂中,利用一步法能够合成出较高结晶度的立方相Ga2O3纳米晶,对该样品的微观形貌和光学性能进行了表征.研究表明,利用一步法获得的纳米晶具有单分散性,晶格条纹明显,平均直径为6nm.在光学性能方面,立方相Ga2O3纳米晶在紫外区域有较宽的吸收.此外,通过提高合成温度能够从紫外到蓝光范围内调节荧光光谱.
简介:Nitridatedβ-Ga_2O_3(100)substratewasinvestigatedasthesubstrateforGaNepitaxialgrowth.Theeffectsofnitridationtemperatureandsurfaceroughnessofβ-Ga_2O_3wafersontheformationofGaNwerestudied.Itwasfoundthatthemostoptimizednitridationtemperaturewas900°C,andhexagonalGaNwithpreferredorientationwasproducedonthewell-polishedwafer.Thenitridationmechanismwasalsodiscussed.
简介:摘要:作为一种新兴的超宽带隙半导体,氧化镓(Ga2O3)受到了广泛的关注。高质量的块状晶体和薄膜是结构、电学和光学特性的基础研究和进一步器件制造的起点,为了实现高性能的Ga2O3基器件,必须通过控制载流子密度、缺陷密度和界面密度来制备高质量的Ga2O3薄膜和单晶。在本文中,我们将简要概述大块单晶合成以及不同外延生长技术的特性和研究进展, 并指出了目前研究中存在的困难和挑战。
简介:镓氮化物的大数量(轧)nanowires经由Ga2O3电影在一个石英试管在950点在氧化的铝层上扔了的ammoniating被准备了。当水晶的wurtzite由X光检查衍射,X光检查光电子spectrometry扫描电子显微镜和精选区域的电子衍射轧了,nanowires被证实了。传播电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜学(SEM)表明nanowires非结晶、不规则,与从30nm到直到十微米的80nm和长度的直径。精选区域的电子衍射显示有六角形的wurtzite结构的nanowire是单身者水晶。生长机制简短被讨论。
简介:AmassofGaNnanowireshasbeensuccessfullysynthesizedonSi(111)substratesbymagnetronsputteringthroughammoniatingGa2O3/Cofilmsat950C.X-raydiffraction,scanningelectronmicroscopy,highresolutiontransmissionelectronmicroscopeandFouriertransformedinfraredspectraareusedtocharacterizethesamples.Theresultsdemonstratethatthenanowiresareofsingle-crystalGaNwithahexagonalwurtzitestructureandpossessrelativelysmoothsurfaces.ThegrowthmechanismofGaNnanowiresisalsodiscussed.更多还原
简介:基于国外定向凝固氧化物/氧化物共晶复合陶瓷的晶体生长动力学行为的研究成果,阐述其动力学机制,分析动力学因素对微观结构形态的影响,探讨晶体生长热力学、动力学行为与微观结构形态之间的关系,同时结合以燃烧合成、快速凝固技术制备的新型高强韧A12O3/ZrO2(Y2O3)共晶复合陶瓷,探讨共晶复合陶瓷在快速凝固条件下的晶体生长动力学行为。结合定向凝固与快速凝固两种晶体生长机制,得知过冷度、凝固界面前沿的温度梯度是影响晶体生长方式的重要因素,且受二者决定的凝固速率(即晶体生长速率)则决定材料的最终微观结构与形态。