简介：将点军标显示避让问题当作空间竞争问题求解,提出一种基于社会活动领域的满意度移动模型的点军标自动避让方法。该方法以点军标显示最小外接矩形重叠区域大小作为军标满意度,将点军标配置位置的四方向领域作为移动备选位置,通过多次迭代使得各点军标位于其满意度最大位置,将此满意度最大的点军标集合作为避让标绘的结果。实验结果表明,该方法能够较好解决点军标显示占位冲突,实现自动避让标绘。
简介：<正>罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻,以及备有将SiC制肖特基势垒二极管(SBD)和SiC制MOSFET集成在同一封装内的新产品。可靠性方面,第二代产品可抑制在MOSFET内寄生的体二极管通电时产生的导通电阻上升等特性劣化现象,单位面积的导通电阻比第一代产品降低约30%。
基于满意度移动模型的点军标显示自动避让方法
罗姆发布第二代SiC制MOSFET,可抑制通电劣化现象
