简介：在硅晶圆上生产半导体激光器一直以来是半导体行业的目标,这种制造工艺向来极具挑战性。近日,新加坡科学技术研究院A＊STAR开发出一种新颖的制造方法,成本低廉、过程简便且可扩展性强。该混合硅激光器将III-V族半导体（如砷化镓和磷化铟）的发光特性与当前成熟的硅制造技术完美结合起来,可以将光子和微电子元件集成在单一硅芯片之中，从而获得价格低廉、可大批量生产的光学器件。

简介：锐迪科微电子（以下简称“RDA”）近日宣布累计量产20亿颗GSM功率放大器芯片，并正式推出全系列硅基CMOS工艺的GSM功率放大器RTM72xx产品。自2007年7月份推出第一款GSM射频功率放大器芯片（以下简称“PA”）以来，RDA凭借其产品稳定可靠的品质和卓越优良的性能，获得了客户的广泛认可。截止2017年2月份，实现累计出货20亿颗。历经近十年的市场严酷考验，RDA的GSMPA芯片已成功应用于各个平台的手机和模块中，RDA成为GSM市场最成功的本土PA公司。

简介：美国当地时间3月8日,在圣克拉拉举行的OCP（OpenComputingProject）Summit2017大会上,浪潮发布了符合OCP标准的整机柜服务器OR系列,这些产品将从今年下半年起,陆续向客户供货.

简介：针对基于能量收集的无线传感器网络,研究了参数估计时功率分配问题。首先,在收集能量因果性限定条件下,为传感器节点在不同估计周期内功率分配建立系统模型,随时间进行多次估计,使得平均估计误差最小化;然后,建立了随机能量收集模型,并在未知估计周期内能量收集状况下,基于Lyapunov优化算法提出了不同周期内功率分配算法;最后,仿真结果表明该算法降低估计误差效果良好。

简介：德州仪器（TI）推出两款新型器件，有助于减小电机驱动应用的尺寸和重量。当两者结合使用时，DRV832x无刷直流（BLDC）栅极驱动器和CSD88584／99NexFET电源模块只需占用511mm。的电路板空间，仅为其他同类解决方案的一半。

简介：意法半导体推出最新的MDmeshDk5功率MOSFET管，内部增加一个快速恢复二极管的甚高压（VHV）超结晶体管，这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效，包括零压开关（ZVS）LLC谐振转换器。