简介：提出了用JP-303型智能化极谱仪,测定≥1%以上钨的极谱分析法。拟定方法与现行采用的＂硫氰酸盐＂分光光度法相比,有着测定范围宽（WO3含量在X%～XX%）,快速、简便、准确的优点。方法的标准曲线相关系数〉0.999,样品加标回收率为98.4%～101.4%,可用于WO3的选冶生产控制分析,效果良好。

简介：许多人都了解RADAR的概念一无线电探测和测距（Ra—dioDetectionandRanging），该技术通过发射无线电频率波在大气层传输，接触目标后反射回到系统进行处理，从而得出目标距离。近年来，电子扫描阵列使这一技术发生了革命性转变，可将无线电波以特定方向传输，无需机械移动。

简介：介绍了一种加热去除阳极吸附气体的方法，并利用热传导方程对阳极加热过程进行了理论计算和分析。计算结果表明，要达到有效加热“强光一号”装置使用的阳极钽靶，电流幅值需为2～3．2kA，相应加热时间需为11～4S。

简介：在H2SO4-Te（Ⅳ）-I^-Triton-X-100体系中，利用极谱催化波，不经任何预分离手续，快速直接测定二氯氧错（ZrOCl2）中的微痕量砷。所拟方法简便易行、灵敏准确，与蒸馏分离-ICP-AES法测定砷的结果以及人工合成样的理论值比对吻合；砷的标准工作曲线线性关系良好。砷在0．0～0．2μg／mL范围内与催化极谱波电流值呈线性关系，其相关系数为0．9998；样品加标回收率〉99％；分析结果的相对标准偏差RSD％6％（n=5），已应用于ZrOCl2中的微痕量砷的比对试验，效果良好。

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：通过理论分析和PIC数值模拟,研究了阳极腔区结构对无箔二极管I-Ⅴ特性的影响,得到了束流强度和结构影响因子的变化规律.研究发现,当阴阳极间距大于0时,无箔二极管的结构影响因子随着阳极腔区半径的增大而减小并逐渐趋于稳定,且对于较小的阴极外半径、较大的漂移管半径、较大的阴阳极间距,达到稳定后的结构影响因子越小,并给出了结构影响因子的可调节范围.在TPG700脉冲驱动源上开展了初步实验研究,对实验中的回流电子束进行数值模拟分析并去除其影响以后,实验结果很好地符合了理论分析结论.

简介：阳极杆箍缩二极管产生的X射线焦斑小,达亚mm量级,且焦斑位置稳定,是一种理想的闪光X射线照相加速器二极管.但是,由于其工作阻抗较高(约40～60Ω),导致无法与大电流低阻抗的脉冲功率源匹配.通过预先向二极管中注入等离子体,可以降低二极管最初工作阶段的阻抗,实现与低阻抗驱动源的匹配.预充等离子体的密度直接影响二极管的工作状态,特别是对等离子体鞘层和空间电荷限制流的形成具有较大影响.采用理论分析和数值模拟相结合的方法,对预充等离子体阳极杆箍缩二极管的工作过程和等离子体密度对二极管的电子束箍缩特性进行了分析,结合“剑光一号”加速器水线输出参数(峰值电压为1MV),给出了合适的预充等离子体的密度范围为1015～1016cm-3.