简介：随着集成电路中时钟速度和布线密度的增加,由于功率损耗和带宽限制,通过传统电线的芯片间和芯片内互连遇到越来越多的困难。光互连已被提议作为铜基互连的替代品,并且由于其具备大数据容量,高数据质量和低功耗等特点而被深入研究。Ⅲ-Ⅴ化合物半导体具有电子迁移率高、有效电子质量低和直接带隙的特点,这使得该材料系统对于高速光电子器件极其有利。在硅衬底上集成Ⅲ-Ⅴ光电子器件将提供硅基电子电路高集成度和大批量生产的综合优势,Ⅲ-Ⅴ器件卓越的电气和光学性能,为新一代混合集成电路的应用铺平道路。
基于金属有机气相沉积技术的集成光电互联技术
