简介：通过自由基共聚的方法制备了聚偏氟乙烯-g-聚（N-异丙基丙烯酰胺）（PVDF—g-PNIPAAm）共聚物，进而采用浸没沉淀相转化法制备了PVDF—g—PNIPAAm共聚膜。采用超声时域反射法研究了不同凝固浴温度下PVDF—g-PNIPAAm的成膜动力学。结合PVDF—g—PNIPAAm的成膜动力学，研究了凝固浴温度对膜结构与性能的影响。结果表明，在不同凝固浴温度下，PVDF—g—PNIPAAm的成膜过程均由液液分相来控制，凝固浴温度为30℃时成膜时间最长，40℃时成膜时间最短；不同凝固浴温度下制备的PVDF—g—PNIPAAm共聚膜保持了PVDF的结晶特性，随着凝固浴温度的升高，结晶度降低。同PVDF—g—PNIPAAm共聚物相比，PNIPAAm在PVDF—g—PNIPAAm膜表面的含量更高，其中，30℃时所成膜表面的PNIPAAm含量最高。不同凝固浴温度下所成的膜均呈指状孔结构，其中，30℃下所成的膜指状孔最大，孔隙率最高。25℃下制备的PVDF—g—PNIPAAm膜具有明显的温度响应性能，其水通量在30℃附近有显著增加。

简介：分析了复合导电材料的导电机理,阐述了关于复合型导电高分子材料电阻-温度效应产生机理的研究进展.指出了导电填料的种类、含量以及高分子基体的结构等因素对电阻-温度效应的影响程度.通过对填料和基体进行改性和表面处理能有效提高温度效应的强度、稳定性和重复性.还概述了相关电阻温度效应的计算模型.

简介：用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜（SEM）分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系.结果表明：随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度.