简介:为综合利用高镁钙磷尾矿中镁钙金属组分,制备高附加值产品,将磷尾矿经硝酸复合溶剂酸解,得到含Mg2+、Ca2+、Al3+、Fe3+、Fe2+等组分的酸解液。Al3+、Fe3+、Fe2+杂质离子严重影响后续产品的纯度,因此在制备产品前须使杂质离子脱离反应体系。拟根据各种金属离子在碱性溶液中开始沉淀和完全沉淀时溶液pH值不同进行除杂,探讨净化除杂最佳工艺条件。实验结果表明:向酸解液中添加0.75gTOEN调整剂,能够将溶液中Fe2+全部转化为Fe3+,可更好地使杂质离子脱离反应体系;当酸解液中添加碱性缓冲液使混合溶液pH值提高至7.0时,杂质离子的浓度小于1.0×10-5mol/L,认为杂质离子完全除去。
简介:摘要:本文首先介绍了微波消解原理和ICP快速测定原理的理论基础进行了介绍。然后,设计了样品准备和处理、微波消解条件优化以及ICP测定条件优化的实验。在样品准备和处理方面,采用了酸法氧化铝样品,并进行了预处理。在微波消解条件优化方面,通过调整消解时间、温度和酸浓度等参数,得到了最佳的消解条件。在ICP测定条件优化方面,通过调整ICP的工作条件,如电流、气体流量和喷雾器高度等参数,得到了最佳的测定条件。最后,对微波消解条件优化结果、ICP测定条件优化结果以及酸法氧化铝中硅铁钙镁的测定结果进行了分析和讨论。研究结果表明,所优化的微波消解和ICP测定条件能够有效地测定酸法氧化铝中的硅铁钙镁。本研究为酸法氧化铝中硅铁钙镁的快速测定提供了一种可行的方法。
简介:选择了贵州省重要磷矿生产基地一瓮福磷矿浮选尾矿为代表,对其中钙、镁、磷的矿物学重要特征进行了比较系统的研究,获得了一些重要结论,从而为高镁磷尾矿的综合利用、白云石与胶磷矿的分离等提供理论依据,对实现磷尾矿资源的二次利用、指导开发者设计科学合理的矿石选冶工艺流程都有十分重要的意义。按照元素赋存形态分析的方法,选用了化学成分、化学物相、电子能谱、扫描电子显微镜、X射线粉晶衍射分析方法等多种手段系统、全面地测定了磷尾矿结构、形貌的重要特征,获得了钙、镁、磷赋存状态的重要结论,发现了尾矿及其原矿的异同性:磷尾矿中含量最高的组分及其含量分别是:氧化钙34.11%,氧化镁17.65%,五氧化二磷5.30%;镁主要以白云石的形式赋存,并有少量以磷酸盐、硅酸盐形式存在,其在各相占的比例分别为99.80%、0.10%、0.10%;磷主要以磷灰石的形式赋存(占97.08%),并有少量以铁氧化物(1.04%)、独居石(O.19%)、磷钇矿(1.83%)形式存在;钙主要以白云石的形式赋存(占96.95%),并有少量以方解石(1.11%)、磷酸盐(1.94%)形式存在。贵州瓮福地区高镁磷尾矿中的镁、磷、钙主要赋存形式分别为白云石、磷灰石、白云石。
简介:目的为调控医用纯镁的降解速度和赋予材料表面生物活性,对其表面进行超声微弧氧化(UMAO)、植酸、载锌复合处理,研究不同处理对成骨细胞生物相容性影响,为纯镁在临床上应用提供依据。方法以纯镁UMAO为对照组(A组),纯镁UMAO-植酸(B组)和纯镁UMAO-植酸-载锌(C组)为实验组。通过碱性磷酸酶(ALP)和CellCountingKit(CCK-8)试剂盒、扫描电镜、激光共聚焦显微镜等方式检测不同处理膜层细胞相容性。结果ALP和CCK8测定的吸光率,B组大于A组,C组高于B组,膜层表面细胞相容性随时间呈递增趋势,其中纯镁UMAO-植酸-载锌复合膜层具有最优的成骨细胞相容性。据统计学分析,A、B、C三组结果均具备统计学意义。结论UMAO-植酸-载锌复合处理后膜层的细胞相容性最好,UMAO-植酸处理次之,UMAO组最低。
简介:目的探讨不同浓度的葛根素溶液对纯镁经超声微弧氧化植酸处理后表面生长的成骨细胞的影响,确定最适宜成骨细胞生长的浓度。方法取四组不同浓度组:A组0mol/L葛根素溶液,B组1×10^-8mol/L葛根素溶液,c组1×10^-6mol/L葛根素溶液,D组1×10^-4mol/L葛根素溶液,通过CCK-8法检测不同时间点纯镁试件表面生长的成骨细胞的黏附、增殖状况,激光共聚焦显微镜下观察细胞的早期骨架形态。结果纯镁经超声微弧氧化后植酸处理达到封孔效果,成骨细胞附着于试件生长后加入相应浓度的葛根素溶液,四组实验CCK-8黏附、增殖数据显示C组〉B组〉A组,A组与D组之间未见统计学差异,激光共聚焦显微镜下显示C组的细胞形态效果最好。结论1×10^-6mol/L葛根素溶液为促进纯镁UMAO植酸涂层表面的成骨细胞生长的最适宜浓度。
简介:生长了一种新配比的铒掺杂铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅单晶(25PIN-44PMN-31PT-0.02Er2O3),并对晶体做了完整的冷加工和极化,得到了沿〈001〉方向极化的晶体样品.在室温下利用椭圆偏振仪测量了晶体的折射率谱,通过最小二乘法拟合得到了晶体的赛尔迈耶尔方程各参数.其中Eo=5.471eV;Ed=22.56eV;k=227nm;So=0.8002×10^14m-2.利用紫外-可见-红外分光光度计获得了晶体透射率谱,晶体紫外吸收边为400nm.同时通过计算得到了样品的禁带宽度为2.94eV.