简介：

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简介：本文简要讨论用自发成核(SPONTANEOUSNUCLEATION)的办法生长大单晶金刚石的问题。全文共分三部分：1、回顾；2、技术关键；3、展望。

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简介：本文用微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD）在单晶硅衬底上制备多晶金刚石薄膜，反应气体为CH4和H2。利用扫描电镜（SEM）和Raman光谱研究了CH4流量和反应时间对多晶金刚石薄膜形貌和碳结构的影响。结果表明：随着CH4流量的增加，金刚石的成核密度增加，并出现二次形核，金刚石颗粒从单晶逐渐转变为多晶结构。多晶金刚石薄膜的生长过程为：生长初期在单晶硅衬底上形成非晶碳层，金刚石在非晶碳层上成核长大，并伴随着二次成核，最终形成多晶金刚石膜。

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简介：本文详细地讨论了金刚石行业关心的金刚石单晶生产的产量问题。

简介：建立了用于模拟立方晶系合金三维枝晶生长的改进元胞自动机模型。该模型将枝晶尖端生长速率、界面曲率和界面能各向异性的二维方程扩展到三维直角坐标系，从而能够描述三维枝晶生长形貌演化。应用本模型模拟在确定温度梯度和抽拉速度条件下三维柱状晶生长过程的一次臂间距调整机制和不同择优取向柱状晶之间的竞争生长。使用NH4Cl-H2O透明合金进行凝固实验，模拟结果和实验结果吻合较好。

简介：采用计时电流方法和对恒电位电解得到的沉积产物进行SEM观察，研究稀溶液中铅在铜电极上的成核和生长过程。根据电沉积条件不同，铅的成核分为连续成核和瞬时成核两种形式。随着溶液中Pb(II)浓度和电沉积时超电势的增加，成核形式从连续成核转变为瞬时成核。无论是哪种成核形式，在恒电位电解的成核和早期生长阶段，生成的铅颗粒都是蛛网状的。根据蛛网状颗粒的形状和导致它们生成的电沉积条件，这些颗粒属于海绵状颗粒。对连续成核和瞬时成核条件下的铅沉积产物的形貌观察表明，存在两种成核极限。

简介：本文论述了采用温度梯度法在人造金刚石生长中的添加N、B杂质元素对生长温度的影响。

简介：建立一种有效修正相场模型来模拟小平面枝晶生长形貌。通过该模型分别研究网格大小、各向异性值、过饱和度及不同重对称性对小平面枝晶生长形貌的影响。结果表明,随着时间的推移,晶核生长为六重对称性的小平面形貌。当网格尺寸大于640×640时,小平面形貌不受模拟网格大小的影响。随着各向异性值的增加,小平面枝晶的尖端速度增大到一个饱和值后再逐渐降小。随着过饱和度的增加,晶核从一个圆形演化为发达的小平面枝晶形貌。根据Wulff理论和对应的小平面对称性模拟形貌图,证明所提出的模型是有效的,并能够拓展到任意重对称性的晶核生长的模拟。

简介：宽带隙金刚石膜及立方氮化硼薄膜由于其优异的物理性质和低成本，在机械、电子、光学及军事工业等部门有广阔的应用前景。

简介：本文报道了一种利用两步热丝化学气相沉积法来提高金刚石薄膜质量的方法，在Si（100）基体上获得了面积45cm^2、厚度60μm的金刚石薄膜。第一步是在HFCVD反应室生长CVD金刚石薄膜，第二步是利用H2SO4：CrO3的饱和溶液对样品进行处理，再用H2O2：NH4OH（1：1）溶液冲洗干净，处理之后再沉积第二层金刚石薄膜。利用SEM、拉曼光谱、XPS分析金刚石薄膜。结果表明，薄膜厚度达60μm，纯度很高，并且在整个面积上是均匀的。

简介：本文研究了在高温高压条件下，用FeNi合金做催化剂生长金刚石单晶时金属膜的显微形貌。

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简介：采用熔融玻璃净化技术研究了三元Fe35Cu35Si30合金的液相分离与枝晶生长特征。实验获得的最大过冷度为328K（0.24TL）。结果表明，合金在深过冷条件下具有三重凝固机制。当过冷度小于24K时，α-Fe相为初生相，凝固组织为均匀分布的枝晶。过冷度超过24K之后，合金熔体分离为富Fe区和富Cu区。在过冷度低于230K的范围内，FeSi金属间化合物为富Fe区的初生相；当过冷度高于230K时，Fe5Si3金属间化合物取代FeSi相成为富Fe区的初生相。随着合金过冷度的增加，FeSi相的生长速率逐渐升高，而Fe5Si3相的生长速率将逐渐降低。在富Cu区，初生相始终为FeSi金属间化合物。能谱分析表明，富Fe区和富Cu区的平均成分均已严重偏离初始合金成分。

简介：采用纯Al片表面浸Zn后再电镀厚Cu层的方法制备Cu/Al层状复合材料。在473~673K温度范围内对该复合材料进行退火，研究退火过程中Cu/Al界面扩散与反应、界面金属间化合物(IMCs)层的长大动力学以及Cu/Al层状复合材料电阻率。结果表明，经过473K、360h的退火处理，未观察到Cu.AlIMCs层，显示Zn中间层能有效抑制Cu/Al界面扩散。可是，当复合材料经573K及以上温度退火时，Zn层中的Zn原子主要向Cu中扩散，从Al侧到Cu侧形成CuAl2/CuAl/Cu9Al4三层结构的反应产物。IMC层遵循扩散控制的生长动力学，Cu/Al复合材料的电阻率随退火温度及时间的增加而增大。