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  • 简介:三星电子日前宣布,公司已开始通过第二代10nm级工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片,实现了新的突破。2016年2月,三星已使用第一代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片。

  • 标签: 三星电子 芯片速度 DRAM 内存芯片 开发 第二代
  • 简介:国际整流器公司(IR)推出采用5引脚SOT-23封装的业内最小功率因数校正(PFC)升压Ic——IRS2505LTRPBF,适用于开关模式电源(SMPS)、LED驱动器、荧光灯及HID电子镇流器等应用。IRS2505L扩充了IR的μPFCTMPFC控制Ic系列,并配备崭新的控制系统,只需5个引脚就可部署PFC控制器,从而大幅减少整体系统尺寸、器件数量及系统成本。IRS2505L还可以在临界导通升压PFC、降压或反激配置下操作。

  • 标签: SOT-23封装 PFC控制器 升压 引脚 IR HID电子镇流器