简介：介绍了全面禁止核试验条约（CTBT）中涉及的放射性氙同位素及其来源、核爆炸产生放射性氙同位素特征和CTBT大气放射性氙监测技术，重点总结了CTBT中大气放射性氙的取样、测量、事件性质识别和源项解析等技术的最新进展。在氙监测设备方面，已有3套商业化的氙监测系统可供采购，且氙同位素取样效率和探测灵敏度已远超临时技术秘书处设定的技术指标要求；在放射性氙同位素活度测量与能谱分析方面，Si-PIN新型探测器研究取得较大进展，建立了放射性氙数据分析软件；在氙监测事件性质识别方面，建立了Kalinowski判据模型；在大气输运模拟研究与应用方面，基于FLEXPART模型开发了Web-Grape和Web-GrapeIBS软件。但从实际监测效果看，有效获取敏感核素对及核素比，并依此提供确凿核爆炸证据的能力尚显不足。下一步工作应聚焦在氙同位素探测灵敏度提升、氙监测事件识别及溯源等研究上。

简介：介绍了辐射效应,重点讲述了单粒子软错误效应。说明了单粒子软错误产生的物理机理,包含直接电离、间接电离和电荷收集。明确了临界电荷标准和软错误截面等单粒子软错误的基本计算公式。着重阐述了GEANT4(核物理层级)、TCAD(半导体器件层级)、SPICE(简单的电路层级)和复杂电路级/系统级的多层级结构化的单粒子软错误数值仿真技术。最后,结合后摩尔时代微电子技术的发展趋势,展望了单粒子软错误研究的未来发展。

简介：介绍了辐射模拟加速器辐射场中脉冲X射线能谱的几种常用测量方法，阐述了基本原理、测量装置的典型系统组成、主要参数特性、技术发展状况和研究进展，描述了各种方法的优缺点和适用范围。以吸收法为例，综述了解谱技术的发展状况，并描述了多种解谱方法的特点。最后，重点介绍了西北核技术研究所脉冲X射线能谱测量的进展，并对测量系统抗噪和散射控制技术进行了评述。结合现有条件和技术成熟度，对今后工作的发展方向进行了展望。

简介：为实现对基于SiC探测器的裂变靶室极低中子灵敏度的准确标定,提出了利用不同的中子源分别测量中子探测效率与裂变碎片的等效平均沉积能量,再将实验结果合成得到中子灵敏度的标定方法。利用该方法,获得了SiC探测器与不同厚度235U或238U裂变靶组成的探测系统对14.9MeV中子的响应灵敏度,灵敏度的相对标准不确定度为7.5%(k=1),较好地满足了应用需求。与传统带屏蔽体的标定方法相比,该方法测得的中子灵敏度可标定下限拓展了1个量级以上,同时,散射本底的影响可以通过挡影锥的方法准确扣除,显著提高了标定结果的精度。

简介：利用MATLAB软件模拟了核裁军核查领域中用于核部件认证的中子计数截断成像方法的处理流程,研究了该方法的有效性和入侵性。通过引入截断矩阵,使该方法具备了通过调节截断参数改变入侵性的能力。数值模拟结果表明,通过限制探测器计数方式,可以在满足认证结果有效的同时,降低主动中子成像技术的入侵性。

简介：半导体器件辐射效应数值模拟技术主要研究辐射与材料相互作用的粒子输运模拟、器件内部辐射感生载流子漂移扩散的器件级模拟及器件性能退化对电路功能影响的电路级模拟等,是抗辐射加固设计和抗辐射性能评估中的关键技术。随着先进微电子技术的快速发展,新材料、新结构和新器件的应用为辐射效应建模与数值仿真带来了新挑战。辐射效应数值模拟涉及材料学、电子学和核科学的交叉领域,技术难度大,建模和仿真比较复杂,一些瓶颈问题尚未完全解决。围绕粒子输运模拟、器件级辐射效应数值模拟和电路级辐射效应数值模拟3个方面,梳理急需解决的关键技术问题,介绍半导体器件辐射效应数值模拟技术的发展趋势。

简介：当前信息技术飞速发展,这让学生在获取知识的途径上有了更多的选择,教师的教学模式和教学方法也随着时代的发展发生了很大的变化。在物理新课教学中,以“互联网+”资源网站为平台,通过课前教学准备、课前互动交流、学生在线学习、课堂合作互助与探究学习、课后在线强化提升、在线检测评价等环节,为学生创造了良好的自主学习环境,使学生的学习更加丰富多彩,从而提高了学生的学习效率。

简介：根据移动学习的特点，将“二维码”技术和“微视频”相结合，建立开放式物理实验平台。通过利用手持式移动设备扫描二维码，观看与之对应的微课程视频，学生可以自主学习实验原理、步骤等实验内容，同时可以方便的利用视频评论与教师进行交流。

简介：在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束总剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离总剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。